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113Kきっかり超音波粉砕の圧電気のトランスデューサーの微小孔のある粉砕のトランスデューサー
記述
このプロダクトに低い運転の電圧、高い変換効率、多の霧化量および高い霧の頭部の特徴があります。それは水表面、穴の妨害の低率で動作します。
適用:
指定
| ResonantFrequency （KHz） | 113±5 |
| RatedVoltage （Vdc） | 3-12 |
| Acpeakvoltage （vpp） | 70~90 |
| Capacitanceat120Hz9 （pf） | 3200±20% |
| InputPower （w） | 0.8~2.5 |
| 調和的なインピーダンス | Max.250Ω |
| OperatingTemperature | 5~80° |
| 溶接ポイントCanPullForce | （KG） ≥0.4 |
| 末端の穴区域（mm） | dia3±0.1 |
| 開き（um） | 8~9 |
| 穴の計算 | 500±5PCS |
| 鋼板材料 | SUS304 |
| CeramicChip | WK43 |
| rubberring | シリコーン |
