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SST89E516RD2-40-I-NJEマイクロチップ・テクノロジーの8ビット マイクロ制御回路- MCU 64KB+8KB 40MHz
1.Dataシート
SST89E516RDxおよびSST89V516RDxはSSTのpatentedandの専有SuperFlash CMOSの半導体の加工技術と設計され、製造されたFlashFlexのfamilyofの8ビット マイクロ制御回路プロダクトのメンバーである。SSTの顧客のための割れ目ゲートの細胞の設計および厚酸化物のトンネルを掘る注入器の提供の重要な費用および信頼性の利点。装置は標準8051のマイクロ制御回路装置と互換性がある8051命令セットのandareピンのためピンを使用する
2.Features
SuperFlashの埋め込まれた記憶の8ビット8051互換性があるマイクロ制御回路（MCU）
–互換性がある十分にソフトウェア
–互換性がある開発のツール・セット
–互換性があるPinのためPinパッケージ
•SST89E516RD2操作
– 5Vの0から40のMHz
•SST89V516RD2操作
– 3Vの0から33のMHz
•1 Kバイトの内部RAM
•二重ブロックSuperFlash EEPROM
– 64 Kバイトの第一次ブロック+ 8 Kバイトの二次ブロック（両方のブロックのための128バイトのセクタ サイズ）
– SoftLockの個々のブロックの保証ロック
–内部適用プログラミングの間の並行操作（IAP）
– IAPの間の割り込みサポートのための記憶上敷
•サポート プログラムおよびデータ記憶の外的なアドレス範囲の64までKバイト
•3つのHigh-Currentドライブ港（16 mAそれぞれ）
•3つの16ビットのタイマー/カウンター
•双方向通信の、高められたUART
–組み立てのエラー検出
–自動住所認識
•4つの優先レベルの10の割り込み源
– 4つの外部割込み機構の入力
プログラム可能なウォッチドッグ タイマー（WDT）
•プログラム可能な反対の配列（PCA）
•4つの8ビット入力/出力の港（32の入力/出力ピン）および1つの4ビット港
•第2 DPTRの記録
•低いEMIモード（エールを禁じなさい）
•SPIのシリアル・インタフェース
•周期ごとの標準12の時計に、装置周期ごとの6個の時計に速度を倍増する選択がある。
•TTL-およびCMOS互換性がある論理のレベル
•節電の検出
•低い電力モード
–目覚し外部割込み機構を用いるパワー モード
–遊んでいるモード
•温度較差:
–コマーシャル（+70°C）への0°C
–産業（- +85°C）への40°C
•利用できるパッケージ
– 40接触WQFN （利用できない港4の特徴）
– 44鉛PLCC
– 40-pin PDIP （利用できない港4の特徴）
– 44鉛TQFP
•すべての非Pb （無鉛）装置は迎合的なRoHSである
3.Product記述
SST89E516RDxおよびSST89V516RDxはSSTのSuperFlash特許を取られた専有CMOSsemiconductorの加工技術と設計され、製造された8ビット マイクロ制御回路プロダクトのFlashFlexの系列のメンバーである。
SSTの顧客のための割れ目ゲートの細胞の設計および厚酸化物のトンネルを掘る注入器のoffersignificant費用および信頼性の利点。装置は8051の指示のsetandをである標準8051のマイクロ制御回路装置と互換性があるピンのためピン使用する。
装置は区分into2独立したプログラム メモリ ブロックであるオン破片のフラッシュEEPROMプログラム記憶の72 Kバイトと来る。第一次ブロック0は内部programmemoryスペースの64 Kバイトを占め、二次ブロック1は内部プログラム メモリ・スペースの8 Kバイトを占める。
8 Kバイトの二次ブロックは64 Kバイトのアドレス空間の最も低い位置に地図を描くことができる;itcanまたプログラム・カウンターから隠され、独立したEEPROMそっくりのデータ記憶として使用されるため。
EEPROMプログラム記憶オン破片の72 Kバイトおよびオン破片のRAMの1024のx8ビットに加えて、装置はおよび64までKバイトexternalRAMの外的なプログラム記憶の64までKバイトに演説できる。
4.Dataシート
