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1.Description
H5TQ2G83GFR-xxC、H5TQ2G63GFR-xxC、H5TQ2G83GFR-xxI、H5TQ2G63GFR-xxI、H5TQ2G83GFRか。xxL、H5TQ2G63GFR-xxL、H5TQ2G83GFR-xxJ、H5TQ2G63GFR-xxJは2,147,483,648ビットCMOS倍データである
理想的に主記憶操置適用に適する大きい要求する率III （DDR3）の同期ドラム、
記録密度および高い帯域幅。SK Hynix 2Gb DDR3 SDRAMsの提供の十分に同期動作refか。時計の落ちる上がり、端にerenced。すべての住所および操作量が掛け金を降ろされる間、
CK （CKの落ちる端）、データのデータ ストロボの上昇端はおよびデータ マスクの入力を書くためにある
それの落ちる上がり、端で見本抽出される。データ・パスは内部的に導管で送られ、8ビットはprefetched
非常に高い帯域幅を達成するため。
2.FEATURES
* RoHSの指令に従うこのプロダクト。
•VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V
•十分に差動クロックの入力（CK、CK）操作
•差動データ ストロボ（DQS、DQS）
•破片DLLでCKとDQ、DQSおよびDQSの転移を一直線に並べなさい
転移
•DMのマスクは上がり、で落下データで書く
データ ストロボの端
•データを除くすべての住所そして操作量、
データ ストロボおよびで掛け金を降ろされるデータ マスク
時計の上昇端
•プログラム可能なCASの潜伏5、6、7、8、9、10、11、12、13
そして支えられる14
•プログラム可能な付加的な潜伏0、CL-1およびCL-2
支えた
•プログラム可能なCASは潜伏（CWL） = 5、6、7、8を書く
9および10
•両方のプログラム可能な破烈させた長さ4/8少量
順次およびインターリーブ モード
•大急ぎでBLスイッチ
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