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機能の記述DDR3 SDRAMは高速操作を達成するのに二重データ転送速度の建築を使用する。二重データ転送速度の建築は入力/出力ピンで時計サイクルごとの2つのデータ単語を移すように設計されているインターフェイスとの8n先取りの建築である。単一の読書は内部ドラムの中心で単一の8nビット全体、four-clockcycleのデータ転送およびnビット全体の8対応からまたは操作をDDR3 SDRAMのために書くために効果的に入力/出力ピンの2分の1時計周期のデータ転送成っている。差動データ ストロボ（DQS、DQS#）は、DDR3 SDRAMの入力受信機のデータ収集の使用のデータと共に、外的に送信される。DQSはWRITEsのデータと中心一直線に並ぶ。読まれたデータはDDR3 SDRAMによって送信され、データ ストロボに端一直線に並んだ。DDR3 SDRAMは差動時計から作動する（CKおよびCK#）。高く行く低く行くCKおよびCK#の交差はCKの肯定的な端と言われる。制御、命令および住所信号はCKのあらゆる肯定的な端で登録されている。入力データはの後でDQSの最初の上昇端で書く序文を登録され、アウトプット データは読まれた序文の後でDQSの最初の上昇端で参照される。読書はDDR3 SDRAMへのライト・アクセスをburst-orientedであり。アクセスは指定位置で始まり、プログラムされた順序の位置のプログラムされた数のために続く。アクセスはの登録から活動化させる読書に先行しているか、または命令を書く命令を始まる。住所ビットはとの一致した活動化させる命令を使用されている銀行および列を選ぶのにアクセスされるべき登録した。住所ビットは読書との一致した登録するか、または命令を使用されている破烈させたアクセスに銀行および開始のコラムの位置を選ぶのに書く。装置は読書を使用し、BL8およびBC4を書く。自動前充満機能は破烈させたアクセスの終わりに始められる自己時限列の前充満を提供するために可能になるかもしれない。標準的なDDR SDRAMと同じように、導管で送られてのDDR3 SDRAMのmultibankの建築並行操作を可能にし、隠れる列の前充満および活発化の時間までにそれにより高い帯域幅を提供する。自己によっては、パワー セービングと共に、モードが提供されるパワー モード新たになる。産業温度は産業温度（IT）装置場合温度超過しないように要求する– TCが85°Cを超過するとき40°Cまたは95°C. JEDECの指定は倍増するためにリフレッシュ レートを要求する;これはまた高温自己の使用が選択を新たになるように要求する。さらにTCが95°C.一般的なノートのとき、ODTの抵抗および入出力インピーダンスは < 0="">軽減されなければならない•このデータ用紙で論議される機能性およびタイミングの指定はDLLのため可能にする運営方法（正常運営）をである。•このデータ用紙中、さまざまな図およびテキストは「DQとして示すDQsを」。DQはとりわけ別の方法で示されてありとあらゆるDQとして一まとめに解釈されるべきではない。•とりわけ他では示されて言葉「DQS」および「CK」はこのデータ用紙中DQS、DQS#およびCK、それぞれCK#として解釈されるべきである見つけなかった
Q1. パッキングのあなたの言葉は何であるか。
:通常、私達は中立ホワイト ボックスおよび茶色のカートンの私達の商品を詰める。
法的にパテントを登録したら、私達はあなたの承認の手紙を得た後あなたの決め付けられた箱の商品を詰めてもいい。
Q2. あなたのMOQは何であるか。
:私達は各項目に小さいMOQ、それをあなたの特定の順序依存する提供する!
Q3. 配達の前にあなたの商品をすべてテストするか、または点検するか。
:はい、私達に100%テストがあり、配達の前にすべての商品を点検する。
Q4:いかに私達のビジネスを長期におよびよい関係するか。
私達は良質を保ち、私達の顧客を保障する競争価格は寄与する;
私達は誠意をこめて私達の友人および私達がビジネスをし、それらのそれを持つ友人を作るために取り替えることができる何かではないのであらゆる顧客を尊重する。
Q5:私達に連絡する方法か。
:下のあなたの照会の細部、かちりと言う音を今「送る"!送りなさい!!
シンセンHongxinweiの技術Co.、株式会社
新技術を、質のプロダクトを一流サービスを提供するために作り出すように採用するため。
良質の製品とサービスのための顧客の要求を満たすために管理システムを絶えず改良しなさい。
なぜ私達を選びなさいか。