Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

シンセンHongxinweiの技術Co.、株式会社 新技術を、質のプロダクトを一流サービスを提供するために作り出すように採用するため。

Manufacturer from China
サイト会員
7 年
ホーム / 製品 / IGBT モジュール /

1200V 300A IGBTモジュールFF300R12KT4のケイ素二重構成ROHS承認

企業との接触
Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:Mr段
企業との接触

1200V 300A IGBTモジュールFF300R12KT4のケイ素二重構成ROHS承認

最新の価格を尋ねる
型式番号 :FF300R12KT4
原産地 :ハンガリー
最低順序量 :10PCS/
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :5000PCS/Tray
受渡し時間 :3-5days
包装の細部 :10pcs/tray
プロダクト :IGBTのケイ素モジュール
構成 :二重
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO :1200v
コレクター エミッターの飽和電圧 :2.1V
25 Cの連続的なコレクター流れ :450A
ゲート エミッターの漏出流れ :400 nA
Pd -電力損失 :1600W
パッケージ/場合 :62mm
最低の実用温度 :- 40C
最高使用可能温度 :+ 150C
包装 :
技術 :Si
最高のゲートのエミッターの電圧 :20V
工場パックの量 :10
more
企業との接触

Add to Cart

類似の動画を探す
製品の説明を表示

                                                                IGBTモジュールFF300R12KT4

KollektorエミッターSättigungsspannungのコレクターemittersaturationvoltageはIC = 300 A、VGE = 15ボルトIC = 300 A、VGE = 15ボルトIC = 300 A、VGE = 15ボルトVCE 1,75の2,05の2,10の2,15ボルトつV VをTvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°CゲートSchwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 11,5 mA、VCE = VGE、Tvj = 25°C VGEth 5,2の5,8の6,4ボルトGateladung Gatecharge VGE = -15ボルト… +15 V QG 2,40のµC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 2,5のΩ Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルトCies 19,0のnF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1つのMHz、Tvj = 25°C坐らせた、VCEは= 25ボルト、VGE = 0 Vツレス島0,81 nFのKollektorエミッターReststromのコレクターemittercut offcurrent VCE = 1200ボルト、VGE = 0ボルト、Tvj = 25°C 5,0 mAのゲート エミッターReststromのゲートemitterleakagecurrentをVCE = 0ボルト、VGE = 20ボルト、Tvj = 25°C IGES 400 nA EinschaltverzögerungszeitのinduktiveLastの回転ondelaytime、inductiveload IC = 300 A、VCE = 600ボルトVGE = ±15 V RGon = 0,16の0,17の0,18のµs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AnstiegszeitのinduktivAnstiegszeit、induktiveLastの立上り時間、inductiveloadの1,8 Ω td IC = 300 A、VCE = 600ボルトVGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω tr 0,04 0,045の0,05のµs µs µs Tvj = 25°C Tvj凍らす= 125°C Tvj = 150°C AbschaltverzögerungszeitのinduktiveLastの回転offdelaytime、inductiveload IC = 300 A、VCE = 600ボルトVGE = ±15 V RGoff = 0,45の0,52の0,54のµs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C FallzeitのinduktiveLast Falltimeのinductiveloadを離れた1,8 Ω td IC = 300 A、VCE = 600ボルトVGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω tf 0,10 0,16の0,18のµs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPulsの回転onenergylossperpulse IC = 300 A、VCE = 600ボルト、LS = 30 nH VGE = ±15 V、di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 150°C) RGon = 1,8のΩの永劫16,5 25,0 30,0 mJ mJ mJTvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPulsの回転offenergylossperpulse IC = 300 A、VCE = 600ボルト、LS = 30 nH VGE = ±15 V、du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) RGoff = 1,8 Ω Eoff 19,5 29,5 32,5 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGEの≤ 15 V、VCCの= 900ボルトVCEmax = VCES - LsCE·di/dt ISC TPの≤ 10のµs、Tvj = 125°C 1200 Wärmewiderstand、ChipbisGehäu1200V 300A IGBTモジュールFF300R12KT4のケイ素二重構成ROHS承認

Q1. パッキングのあなたの言葉は何であるか。

:通常、私達は中立ホワイト ボックスおよび茶色のカートンの私達の商品を詰める。

法的にパテントを登録したら、私達はあなたの承認の手紙を得た後あなたの決め付けられた箱の商品を詰めてもいい。

 

Q2. あなたのMOQは何であるか。

:私達は各項目に小さいMOQ、それをあなたの特定の順序依存する提供する!

 

Q3. 配達の前にあなたの商品をすべてテストするか、または点検するか。

:はい、私達に100%テストがあり、配達の前にすべての商品を点検する。

 

Q4:いかに私達のビジネスを長期におよびよい関係するか。

私達は良質を保ち、私達の顧客を保障する競争価格は寄与する;

私達は誠意をこめて私達の友人および私達がビジネスをし、それらのそれを持つ友人を作るために取り替えることができる何かではないのであらゆる顧客を尊重する。

 

Q5:私達に連絡する方法か。
:下のあなたの照会の細部、かちりと言う音を今「送る"!送りなさい!!

 

シンセンHongxinweiの技術Co.、株式会社

新技術を、質のプロダクトを一流サービスを提供するために作り出すように採用するため。

良質の製品とサービスのための顧客の要求を満たすために管理システムを絶えず改良しなさい。

 

なぜ私達を選びなさいか。

  • 新しい100%および利点の価格のoriginao
  • 高性能
  • 速い配達
  • 専門のチーム サービス
  • 10年は電子部品を経験する
  • 電子部品の代理店
  • 利点の記号論理学の割引
  • 優秀な売り上げ後のサービス
商品のタグ:
お問い合わせカート 0