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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

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MG12200D-BA1MM

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MG12200D-BA1MM
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カテゴリ :離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
現在 - コレクター（IC）（最大） :300A
製品ステータス :廃止
取り付けタイプ :シャーシマウント
パッケージ :バルク
シリーズ :-
パッケージ /ケース :モジュール
vce（on）（max） @ vge、ic :1.8V @ 15V,200A (タイプ)
電圧 - コレクターエミッタの分解（最大） :1200 v
サプライヤーデバイスパッケージ :D3
MFR :Littelfuse Inc.
動作温度 :-40°C〜150°C（TJ）
現在 - コレクターカットオフ（最大） :1 Ma
IGBTタイプ :-
パワー - マックス :1400のW
入力 :標準
入力容量（CIES） @ VCE :14.9 nF @ 25V
構成 :ハーフブリッジ
NTCサーミスタ :いいえ
説明 :IGBT モジュール 1200V 300A 1400W D3
ストック :在庫あり
配送方法 :lcl、air、fcl、express
支払い条件 :L/C、D/A、D/P、T/T、Western Union、
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IGBT モジュール ハーフブリッジ 1200 V 300 A 1400 W シャーシマウント D3
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