モデル番号 :2N7002
産地 :原作
記述 :MOSFET, -
動作温度 :-55°C ~ 150°C, -55°C ~ 150°C
シリーズ :2N7002
タイプ :MOSFET、Nチャネル
D/C :23歳以上
パッケージの種類 :表面マウント
適用する :標準、あらゆる種類の電子製品
供給者の種類 :ほか
クロス参照 :-
入手可能なメディア :写真
電流 - コレクター (Ic) (最大) :-
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic :-
電流 - コレクターの切断値 (最大) :-
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce :-
パワー - マックス :200mW (Ta)
マウントタイプ :表面の台紙、表面の台紙
パッケージ/ケース :SOT-23-3
抵抗 - ベース (R1) :-
レジスタ - エミッターベース (R2) :-
FETタイプ :Nチャンネル
FETの特徴 :-
流出電圧から源電圧 (Vdss) :60V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :115 mA
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :7.5オーム @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id :2.5V @ 250A
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :25Vで50pF
頻度 :-
定位電流 (アンプ) :-
騒音数 :-
電力 - 輸出 :-
定数電圧 :-
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :5V,10V
Vgs (最大) :±20V
IGBTタイプ :1 N チャネル
構成 :単相
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :-
入力容量 (Cies) @ Vce :-
インプット :-
NTC サーミストール :-
電圧-故障（V （BR） GSS） :-
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0） :-
現在の下水管（ID最高） - :-
電圧-締切り（VGS） @ ID :-
抵抗- RDS （） :-
電圧 - 出力 :-
電圧-オフセット（Vt） :-
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート :-
現在-谷（iv） :-
現在-ピーク :-
トランジスタタイプ :MOSFET
製品名 :2N7002
元のfromm :元のブランド
Detalis :連絡してください.
輸送する :DHL\UPS\Fedex\EMS\HK ポスト
支払い :パイパール ウェスタンユニオン
条件 :新品とオリジナル
保証 :365日保証
品質 :原作 高品質
電圧 :-
申請 :スタンダード
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