MUN5216T1
カテゴリー :離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
現在-コレクター((最高) IC) :100 mA
製品の状況 :時代遅れ
トランジスター タイプ :前偏りのあるNPN -
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ :テープ&ロール (TR)
シリーズ :-
Vceの飽和(最高) @ Ib、IC :250mV @ 1mA, 10mA
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) :50ボルト
供給者のデバイスパッケージ :SC-70-3 (SOT323)
抵抗器-基盤(R1) :4.7キロオーム
Mfr :一半
現在-コレクターの締切り(最高) :500nA
パワー最高 :202mW
パッケージ/ケース :SC-70、SOT-323
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce :160 @ 5mA, 10V
基本製品番号 :MUN5216
記述 :トランスプレビアス NPN 202MW SC70-3
ストック :ストック
輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス
支払条件 :L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
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バイアス式バイポーラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50 V 100 mA 202 mW 表面マウント SC-70-3 (SOT323)