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企業との接触

Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.

シティ：shenzhen

省/州：guangdong

国/地域：china

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BCR183 B6327

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カテゴリー :離散半導体製品トランジスタ双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ

現在-コレクター（（最高） IC） :100 mA

製品の状況 :時代遅れ

トランジスタータイプ :PNP - 偏見がある

頻度-転移 :200 MHz

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ :テープ&ロール (TR)

シリーズ :-

Vceの飽和（最高） @ Ib、IC :300mV @ 500µA、10mA

電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） :50ボルト

供給者のデバイスパッケージ :PG-SOT23

抵抗器-基盤（R1） :10のkOhms

Mfr :インフィニオン・テクノロジーズ

抵抗器-エミッターの基盤（R2） :10のkOhms

現在-コレクターの締切り（最高） :100nA （ICBO）

パワー最高 :200 MW

パッケージ/ケース :TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

DCの現在の利益（hFE）（分） @ IC、Vce :30 @ 5mA, 5V

基本製品番号 :BCR 183 について

記述 :トランスプレビアス PNP 200MW SOT23-3

ストック :ストック

輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス

支払条件 :L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム

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バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) PNP - バイアス式50V 100mA 200MHz 200mW 表面マウント PG-SOT23

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BCR183 B6327

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