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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.

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PDTA114ET-QR

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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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China PDTA114ET-QR wholesale
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PDTA114ET-QR
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カテゴリー :離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
現在-コレクター（（最高） IC） :100 mA
製品の状況 :アクティブ
トランジスター タイプ :PNP - 偏見がある
頻度-転移 :180のMHz
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ :テープ&ロール (TR)
シリーズ :、AEC-Q101自動車
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC :150mV @ 500μA, 10mA
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） :50ボルト
供給者のデバイスパッケージ :TO-236AB
抵抗器-基盤（R1） :10のkOhms
Mfr :Nexperia USA Inc。
抵抗器-エミッターの基盤（R2） :10のkOhms
現在-コレクターの締切り（最高） :1µA
パワー最高 :250mW
パッケージ/ケース :TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce :30 @ 5mA, 5V
基本製品番号 :PDTA114
記述 :PDTA114ET-Q/SOT23/TO-236AB
ストック :ストック
輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス
支払条件 :L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
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バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) PNP - バイアス式50V 100mA 180MHz 250mW 表面マウント TO-236AB
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