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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.

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RN1109MFV、L3F

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China RN1109MFV、L3F wholesale
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RN1109MFV、L3F
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カテゴリー :離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
現在-コレクター（（最高） IC） :100 mA
製品の状況 :アクティブ
トランジスター タイプ :前偏りのあるNPN -
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ :テープ&ロール (TR)
シリーズ :-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC :300mV @ 500μA, 5mA
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） :50ボルト
供給者のデバイスパッケージ :VESM
抵抗器-基盤（R1） :47のkOhms
Mfr :東芝の半導体および貯蔵
抵抗器-エミッターの基盤（R2） :22のkOhms
現在-コレクターの締切り（最高） :500nA
パワー最高 :150 MW
パッケージ/ケース :SOT-723
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce :70 @ 10mA 5V
基本製品番号 :RN1109
記述 :トランスプレビアス NPN 50V 0.1A VESM
ストック :ストック
輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス
支払条件 :L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
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バイアス式バイポーラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50V 100mA 150mW 表面マウント VESM
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