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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.

シティ：shenzhen

省/州：guangdong

国/地域：china

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BCR116WH6327XTSA1

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カテゴリー :離散半導体製品トランジスタ双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ

現在-コレクター（（最高） IC） :100 mA

製品の状況 :Digi-Keyで発売中止

トランジスタータイプ :前偏りのあるNPN -

頻度-転移 :150のMHz

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ :テープ&ロール (TR)

シリーズ :-

Vceの飽和（最高） @ Ib、IC :300mV @ 500µA、10mA

電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） :50ボルト

供給者のデバイスパッケージ :PG-SOT323

抵抗器-基盤（R1） :4.7キロオーム

Mfr :インフィニオン・テクノロジーズ

抵抗器-エミッターの基盤（R2） :47のkOhms

現在-コレクターの締切り（最高） :100nA （ICBO）

パワー最高 :250mW

パッケージ/ケース :SC-70、SOT-323

DCの現在の利益（hFE）（分） @ IC、Vce :70 @ 5mA, 5V

基本製品番号 :BCR116

記述 :トランスプレビアス NPN 250MW SOT323-3

ストック :ストック

輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス

支払条件 :L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム

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バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50V 100mA 150MHz 250mW 表面マウント PG-SOT323

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