200V 43A 3.8W 300W MOSFET力トランジスターIRFB38N20DPBF N-チャネルSMPS MOSFET
| FETのタイプ: |
N-Channel |
源の電圧に流出させなさい: |
200V |
| 現在-連続的な下水管: |
43A |
ドライブ電圧: |
10V |
| 高いライト: |
高い発電mosfetのトランジスター、nチャネルmosfetのトランジスター
|
IRFB38N20DPBFのN-Channel 200V 43A 3.8W 300Wを通した穴TO-220AB SMPS MOSFET
| 適用 |
| l高周波DC-DCのコンバーター |
| l TO-220は無鉛ようにPbFで利用できる |
| 利点 |
| 損失を転換することを減るべきl低いゲートに下水管充満 |
| lは十分に設計を簡単にするために有効なCOSSを含むキャパシタンスを特徴付けた（SeeApp。ノートAN1001） |
| lは十分になだれの電圧および流れを特徴付けた |
| FETのタイプ |
N-Channel |
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| 技術 |
MOSFET （金属酸化物） |
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| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） |
200V |
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| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C |
43A （Tc） |
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| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） |
10V |
|
| （最高） @ ID、VgsのRds |
54 mOhm @ 26A、10V |
|
| Vgs （（最高） Th） @ ID |
5V @ 250µA |
|
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs |
91nC @ 10V |
|
| Vgs （最高） |
±20V |
|
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds |
2900pF @ 25V |
|
| FETの特徴 |
- |
|
| 電力損失（最高） |
3.8W （Ta）、300W （Tc） |
|
| 実用温度 |
-55°C | 175°C |
| 在庫の他の電子部品のリスト |
| 88E3019-A0-NAJ2C000 |
MARVELL |
|
CX28380-16 |
MNDSPEED |
| SAF7741HV/125 |
|
|
CS9211-VNG |
NSC |
| NJM2368E |
JRC |
|
C10P20FR |
NIEC |
| RDC19222-203 |
DDC |
|
AD8130AR-REEL7 |
ADI |
| RCR3135 （B） - 332SI |
RCR |
|
TC7WH14FU |
東芝 |
| UPD780076YGK |
NEC |
|
SB2045LCT |
PEC |
| S29GL064N90TFI040 |
SPANSION |
|
PIC16LF872-I/SS |
マイクロチップ |
| NT68168UFG |
NOVATEK |
|
UP6106M8 |
UPI |
| MX29LV160BTC-90 |
MXIC |
|
MC100ELT20DR2 |
MOT |
| LM1108SF-2.5 |
HTC |
|
LCMXO2-7000HC-5BG256I |
格子 |
| IDT49FCT3805Q |
IDT |
|
AD8018ARUZ-REEL7 |
ADI |
| CM1442-08CP |
CMD |
|
SSK2N7002E |
FSC |
| TLP732F |
東芝 |
|
S-1206B15-U3T1G |
セイコー |
| MC14069U |
|
|
MC74AC86DR2 |
|
| HG61H25B02P |
RENESAS |
|
MB605612UC-G |
冨士通 |
| TS31023-QFNR |
SEMTECH |
|
CAP002DG-TL |
力 |
| TLE2425CPSR |
チタニウム |
|
BFP182E7764 |
INFINEON |
| TMS320C6701GJCA120 |
チタニウム |
|
TPS40077PWPR |
チタニウム |
| SIS620 |
SIS |
|
TMS320C346BA006PZ-T |
チタニウム |
| PIC16LF819-I/ML |
マイクロチップ |
|
MX25L12845EZNI-10G |
MXIC |
