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腕のマイクロ制御回路- MCU 120MHZ 256KBのフラッシュ4 8 QFN
IC MCU 32BIT 256KBのフラッシュ48QFN
ARM® Cortex®-M4Fシリーズ マイクロ制御回路IC 32ビット単心120MHz 256KB （256K X 8）抜け目がない48-QFN （7x7）
ATSAMD51G18A-MUの指定:
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部門
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集積回路（IC）
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埋め込まれる-マイクロ制御回路
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Mfr
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マイクロチップ・テクノロジー
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シリーズ
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SAM D51
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パッケージ
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皿
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プロダクト状態
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活動的
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中心プロセッサ
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ARM® Cortex®-M4F
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コア サイズ
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32ビット単心
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速度
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120MHz
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結合性
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EBI/EMIのIの² C、IrDA、LINbus、MMC/SD、QSPI、SPI、UART/USART、USB
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ペリフェラル
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節電は、DMAのIの² S、POR、PWM検出したり/調整
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入力/出力の数
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37
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プログラム記憶容量
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256KB （256K X 8）
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プログラム記憶タイプ
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フラッシュ
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EEPROMのサイズ
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-
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RAMのサイズ
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128K X 8
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電圧-供給（Vcc/Vdd）
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1.71V | 3.63V
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データ変換装置
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A/D 20x12b;D/A 2x12b
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発振器のタイプ
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内部
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実用温度
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-40°C | 85°C （TA）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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パッケージ/場合
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48-VFQFNはパッドを露出した
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製造者装置パッケージ
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48-QFN （7x7）
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基礎プロダクト数
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ATSAMD51
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特徴:
作動条件:
•1.71Vへの3.63V、-40°Cへの+125°C、100つのMHzへのDC
•1.71Vへの3.63V、-40°Cへの+105°C、120のMHzへのDC
•1.71Vへの3.63V、-40°Cへの+85°C、120のMHzへのDC
中心:120のMHzの腕の皮質M4
•120のMHzの403 CoreMark®
•4 KBは指示の隠し場所およびデータ隠し場所を結合した
•8地帯の記憶保護の単位（MPU）
•Thumb®-2命令セット
•指示の跡の流れが付いている埋め込まれた跡モジュール（ETM）
•中心の視力によって埋め込まれる跡の緩衝（ETB）
•跡の港インターフェイス単位（TPIU）
•浮動小数点の単位（FPU）
記憶
•1番のMB/512 KB/256 KB内部システム自己プログラム可能な抜け目がない下記のものの:
–エラー修正 コード（ECC）
–二重銀行はとの（RWW）サポートを読書間書く
– EEPROMハードウェア模範化（SmartEEPROM）
•128 KB、KB SRAM主記憶操置192 KB、256
– 64 KB、96 KB、エラー修正 コード（ECC） RAMの選択の128 KB
•緊密結合記憶（TCM）のまで4 KB
•8 KBまで付加的なSRAM
–バックアップ モードで保つことができる
•8つの32ビット バックアップ記録
システム
•パワー調整（POR）および節電の検出（BOD）
•内部および外的な時計の選択
•外部割込み機構のコントローラー（EIC）
•16の外部割込み機構
•1つのマスク不能割り込み
•2ピン連続ワイヤーは（SWD）プログラミング、テストを、およびデバッギング インターフェイス デバッグする
電源
•、スタンバイ遊んでいる、休眠モードを離れてバックアップ冬眠すれば
•夢遊ペリフェラル
•バッテリー・バックアップ サポート
•忙しい選択を支える埋め込まれたBuck/LDOの調整装置
環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
|---|---|
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 3 （168時間） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
