F28M35E20B C2000の実時間マイクロ制御回路ICテキサス・インスツルメントMCUおよびプロセッサ

F28M35E20B C2000の実時間マイクロ制御回路ICテキサス・インスツルメントMCUおよびプロセッサ

記述:

リアルタイム制御 サブシステムはチタニウムのindustry-leading専有32ビットC28x浮動小数点CPUに基づき、欠陥の保護のePWMsを含む最も適用範囲が広く、高精度制御ペリフェラルを、そしてエンコーダーをそしてチタニウムのTMS320C2000™の記入項目の性能MCUsおよび優れた性能MCUsによって実行されるように捕獲すべて特色にし。さらに、C28-CPUは有効なViterbi、複雑な算術、16ビットのFFTsおよびCRCのアルゴリズムを実行するVCUの指示の加速装置の付加と高められた。

コンチェルト家族は独立したコミュニケーションおよびリアルタイム制御 サブシステムのマルチコアのシステム破片のマイクロ制御回路単位（MCU）である。装置のF28M35xの系列はコンチェルト家族の最初のシリーズである。

通信サブシステムは業界標準の32ビット腕皮質M3 CPUに基づき、イーサネット1588、PHYのUSB OTG、コントローラー区域ネットワーク（缶）、UART、SSI、I2Cおよび外部インタフェースを含むいろいろコミュニケーション ペリフェラルを、特色にする。

高速アナログ サブシステムおよび補足のランダム アクセス メモリはオン破片の電圧調整および余分な時間を記録する回路部品と共に、共有される。安全考察はまたシステム レベルの産業安全の証明と助けるためにエラー修正 コード（ECC）、同等およびコード安全な記憶、またドキュメンテーションを含んでいる。

マイクロ制御回路IC （MCU）およびプロセッサの指定:

特徴:

マスター サブシステム—腕皮質M3
100つまでのMHz
埋め込まれた記憶
までフラッシュ（ECC）の512KB
RAMの32KBまで（ECCか同等）
共用RAMの64KBまで
IPCメッセージのRAMの2KB
5つの自在継手の非同期受信機/送信機（UARTs）
4つの同期シリアル・インタフェース（SSIs）および連続周辺機器インターフェイス（SPI）
2つの相互統合された回路（I2Cs）
多忙なユニバーサル・シリアル・バス（USB-OTG） + PHY
10/100 ENET 1588 MII
2つのコントローラー区域ネットワーク、D_CANのモジュール（ピン起動可能な）
32チャネルのマイクロ ダイレクト・メモリ・アクセス（ΜDMA）
二重保証地帯（地帯ごとの128ビット パスワード）
外的な周辺機器インターフェイス（EPI）
マイクロ巡回冗長検査（ΜCRC）モジュール
4つの一般目的のタイマー
2つのウォッチドッグ タイマー モジュール
3つの外部割込み機構
Endianness:少しendian
時間を記録すること
オン破片の水晶発振子および外的なクロックの入力
動的Phase-Lockedループ（PLL）比率の変更は支えた
、1.8-Vアナログ デジタル、1.2-V 3.3-V入力/出力の設計
Interprocessorコミュニケーション（IPC）
32の握手チャネル
4つのチャネルはIPC割り込みを発生させる
IPCメッセージのラムを通してデータの移動を調整するのに使用することができる
プログラム可能な74までそれぞれ多重型にされた一般目的入出力（GPIO）ピン
Glitch-free I/Os
制御サブシステム—TMS320C28x 32ビットCPU
150までのMHz
C28xの中心ハードウェア作り付け自己テスト
埋め込まれた記憶
までフラッシュ（ECC）の512KB
RAMの36KBまで（ECCか同等）
共用RAMの64KBまで
IPCメッセージのRAMの2KB
IEEE-754単一精密浮動小数点単位（FPU）
Viterbiの複雑な数学、CRCの単位（VCU）
シリアル通信はインターフェイスする（SCI）
SPI
I2C
6チャネルのダイレクト・メモリ・アクセス（DMA）
9つの高められた脈拍幅の変調器（ePWM）モジュール
18出力（高解像16）
6つの32ビット高められた捕獲（eCAP）モジュール
3つの32ビット高められた求積法のエンコーダーの脈拍（eQEP）モジュール
多重チャンネルの緩衝されたシリアル ポート（McBSP）
EPI
1つの保証地帯（128ビット パスワード）
3つの32ビット タイマー
Endianness:少しendian
アナログ サブシステム
二重12ビット アナログ・ディジタル変換器（ADCs）
2.88までMSPS
20までのチャネル
Sample-and-Hold 4 （S/H）回路
10ビット デジタル アナログ変換器（DAC）が付いている6つまでのコンパレーター
パッケージ
144 Pin RFP PowerPAD™は熱的に高めた薄いクォードFlatpack （HTQFP）を

温度の選択:
T:– 105°C接続点への40°C
S:– 125°C接続点への40°C
Q:– 125°C自由空気への40°C （自動車適用のためのAEC Q100の資格）

F28M35x Concerto™ MCUsのケイ素の誤りのケイ素の修正E、B、A、0:

導入

この文書はF28M35xのマイクロ制御回路（MCUs）のための機能仕様書にケイ素の更新を記述したものだ。

更新は適当にである:•144ピンPowerPAD™は熱的に薄いクォードFlatpackを高めた、RFPは2装置に接尾辞として付け、製品開発周期、チタニウムの段階を示す開発のサポート ツールの専門語はすべてのコンチェルトMCU装置およびサポート ツールの部品番号に接頭辞を割り当てる。各コンチェルトMCUの商業家族は3つの接頭辞の1つがある:x、p、または接頭辞無し（例えば、xF28M35H52C1RFPT）。テキサス・インスツルメントはサポート ツールのための3つの可能な接頭辞のデジグネーターの2つを推薦する:TMDXおよびTMDS。これらの接頭辞は完全修飾生産装置および用具を通してプロトタイプの設計からの製品開発の発展の段階を（装置のための接頭辞Xおよび用具のためのTMDXと）表す（装置のための接頭辞および用具のためのTMDS無しで）。xF28M35…必ずしも最終的な装置の電気指定pF28M35がの代表…ではない実験装置装置の電気指定に合致するが、死んだり質および信頼性の証明F28M35を…完了しなかった最終的なケイ素は完全修飾生産装置サポート ツールの開発の発展の流れ:まだ完了していないTMDX開発サポート プロダクトは次の放棄に対してTMDS接頭辞xかpの完全修飾開発サポート プロダクト装置をテストするテキサス・インスツルメントの内部資格およびTMDX開発サポート用具出荷される:「進化プロダクト内部評価為に」は意図されている。生産装置およびTMDS開発サポートは用具十分に特徴付けられ、装置の質そして信頼性は十分に示された。チタニウムの標準的な保証は適用する。予言はxまたはpの接頭辞のプロトタイプ装置に標準生産装置より大きい故障率があることを示す。テキサス・インスツルメントは期待された最終用途の故障率がまだ未定義になるのでことをこれらの装置あらゆるプロダクション システムで使用されないために推薦する。修飾された生産装置だけ使用されるべきである。チタニウム装置専門語はまた装置姓の接尾辞を含んでいる。この接尾辞はパッケージのタイプ（例えば、RFP）および温度較差を示す（例えば、T）。

マイクロ制御回路IC （MCU）およびプロセッサの部品番号: