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携帯用電子工学のためのPESD5V0V1BDSF NEXPERIA TRANSクランプIpp TVのダイオードの回路保護
まさに低いキャパシタンスbidirectional ESDの保護ダイオードまさに低いキャパシタンスbidirectional ESDの保護ダイオードまさに低いキャパシタンスbidirectional ESDの保護ダイオードまさに低いキャパシタンスbidirectional ESDの保護ダイオードまさに低いキャパシタンス二方向ESD保護ダイオード
記述:
まさに低いキャパシタンス二方向のエレクトロaのtatic排出（ESD）の保護ダイオード DSN0603-2 （SOD962）無鉛の超小さい表面取付けられた装置（SMD）パッケージ ESDおよび他のトランジェントによって与えられた損害から1つの信号ラインを保護するように設計した
まさに低いキャパシタンスESDおよび他のトランジェントによって与えられる損害から1つの信号ラインを保護するように設計されているDSN0603-2 （SOD962）無鉛の超小さい表面取付けられた装置（SMD）パッケージの二方向の静電放電（ESD）の保護ダイオード。
適用:
細胞受話器および付属品
携帯用電子工学
通信システム
コンピュータおよびペリフェラル
特徴:
1ラインの二方向ESDの保護
まさに低いダイオード キャパシタンスCd=5.3pFn
IEC 61000-4-2nUltra小さいSMDのパッケージに従う±25 kVまでのESDの保護
超高いESDの強さのための最大限に活用されたダイオードの構造
適用情報:
PESD5V0V1BDSFは保護のために設計されている サージからの1つのデータまたは信号ラインの 脈拍およびESDの損傷。装置は適している 信号の極性があるライン 両方、grに関して肯定的そして否定的ound。それはサージに対して保護を提供する ラインごとの20までWを使ってPESD5V0V1BDSFは保護のために設計されている サージからの1つのデータまたは信号ラインの 脈拍およびESDの損傷。装置は適している 信号の極性があるライン 両方、grに関して肯定的そして否定的ound。それはサージに対して保護を提供する ラインごとの20までWを使ってPESD5V0V1BDSFはサージの脈拍およびESDの損傷からの1つのデータまたは信号ラインの保護のために設計されている。装置は信号の極性が両方のラインで適し、地面に関して肯定的、そして否定的である。それはラインごとの20までWをサージに対して保護に与える
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| PESD5V0V1BDSF、315 | Philipの半導体 | NEXPERIA PESD5V0V1BDSF - TRANS V |
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