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DS24B33格言EEPROMの記憶IC DS24B33+ DS24B33G+ DS24B33S+DS24B33Q
記述:
DS24B33は256ビットの16の記憶ページそれぞれとして4096ビット、1-Wire® EEPROM組織したである。データはEEPROMの記憶に32バイトのscratchpadに書かれ、確認され、そして次にコピーされる。DS24B33はsingle-conductor 1ワイヤー バスに伝達し合う。コミュニケーションは標準的な1ワイヤー議定書に続く。各装置に破片にプログラムされる工場である自身のunalterableおよび独特な64ビットの登録番号がある。登録番号がmultidrop 1ワイヤー網の環境の装置に演説するのに使用されている。DS24B33はDS2433に互換性があるソフトウェアである。
適用:
口径測定の定数の貯蔵
板同一証明
プロダクト修正状態の貯蔵
特徴:
16の256ビット ページに仕切られる不揮発性EEPROMの4096ビット
読まれるライト・アクセスをであるDS2433に非常に下位互換
厳密な読み書き議定書の256ビットScratchpadはデータ転送の完全性を保障する
独特な、工場プログラムされた、64ビットの登録番号は誤りが無い装置選択および絶対部分のアイデンティティを保障する
騒音の前で性能を最大限に活用するSwitchpointヒステリシス
1ワイヤー議定書を使用して125kbpsで催すために伝達し合う
低価格のによ穴およびSMDのパッケージ
動作範囲:+2.8Vへの+5.25V、-40°Cへの+85°C
IO PinのためのIEC 1000-4-2のレベル4 ESDの保護（±8kVの接触、±15kVの空気、典型的な）
発注情報:
部分 TEMPの範囲 PIN-PACKAGE
DS24B33+ -40°Cへの+85°C TO-92
DS24B33+T&R -40°Cへの+85°C TO-92
DS24B33G+T&R -40°Cへの+85°C 2 SFN （2.5k PC）
DS24B33Q+T&R -40°Cへの+85°C 6 TDFN-EP* （2.5k PC）
DS24B33S+ -40°Cへの+85°C 8 そう（208ミル）
DS24B33S+T&R -40°Cへの+85°C 8そう（208ミル）
ICの指定:
| DS24B33+ | |
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部門
|
集積回路（IC）
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記憶
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|
Mfr
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マキシム・インテグレーテッド・プロダクツ
|
|
シリーズ
|
-
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パッケージ
|
袋
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部分の状態
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活動的
|
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記憶タイプ
|
不揮発性
|
|
記憶フォーマット
|
EEPROM
|
|
技術
|
EEPROM
|
|
記憶容量
|
4Kb （256 x 16）
|
|
記憶インターフェイス
|
1-Wire®
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周期にタイムの単語、ページを書きなさい
|
-
|
|
アクセス時間
|
2つのµs
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|
電圧-供給
|
2.8V | 5.25V
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実用温度
|
-40°C | 85°C （TA）
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タイプの取付け
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穴を通して
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パッケージ/場合
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TO-226-3、TO-92-3 （TO-226AA）
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製造者装置パッケージ
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TO-92-3
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基礎プロダクト数
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DS24B33
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DS24B33S+の指定 |
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部門
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集積回路（IC）
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記憶
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|
Mfr
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マキシム・インテグレーテッド・プロダクツ
|
|
シリーズ
|
-
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パッケージ
|
テープ及び巻き枠（TR）
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部分の状態
|
活動的
|
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記憶タイプ
|
不揮発性
|
|
記憶フォーマット
|
EEPROM
|
|
技術
|
EEPROM
|
|
記憶容量
|
4Kb （256 x 16）
|
|
記憶インターフェイス
|
1-Wire®
|
|
周期にタイムの単語、ページを書きなさい
|
-
|
|
アクセス時間
|
2つのµs
|
|
電圧-供給
|
2.8V | 5.25V
|
|
実用温度
|
-40°C | 85°C （TA）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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パッケージ/場合
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8-SOIC （0.209"、5.30mmの幅）
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製造者装置パッケージ
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8-SOIC
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基礎プロダクト数
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DS24B33
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環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
|---|---|
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 3 （168時間） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
長期利用できるのための完全なシリーズ記憶IC DS24B33+ DS24B33G+ DS24B33S+DS24B33Qがある。ic@icschip.comに連絡する歓迎
