Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

Manufacturer from China
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FOD3125 3Aのゲート ドライブ オプトカプラー高温5000Vrms 1チャネル8-PDIP

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FOD3125 3Aのゲート ドライブ オプトカプラー高温5000Vrms 1チャネル8-PDIP

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型式番号 :FOD3125
最低順序量 :50pcs
供給の能力 :1000000個
電流 - ピーク出力 :3A
電圧 - 順方向 (Vf) (Typ) :1.5V
電流 - DC 順方向 (If) (最大) :25 mA
電圧-出力供給 :15V | 30V
実用温度 :-40°C | 125°C
パッケージ/場合 :8-DIP (0.300インチ、7.62mm)
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FOD3125 3Aのゲートの運転者の光学カップリング5000Vrms 1チャネル8-PDIP

onsemi FOD3125の高温ゲート ドライブ オプトカプラー

onsemi FOD3125の高温ゲート ドライブ オプトカプラーは2.5A出力電流を提供し、125°C.まで高温でほとんどの中型力IGBT/MOSFETを運転するように設計されている。FOD3125は運動制御インバーター塗布および高性能のパワー系統で使用される力IGBTおよびMOSFETsの速い切換えの運転に理想的に適する。FOD3125ゲート ドライブ オプトカプラーは専有onsemi Optoplanarを利用する高い共通モード拒絶によって特徴付けられる高いノイズ耐性を達成する®の実装技術および最大限に活用されたICの設計。

FOD3125ゲート ドライブ オプトカプラーは光学的にプッシュ プルMOSFETの出力段階のための高速運転者が付いている集積回路につながれるガリウム アルミニウム ヒ化物(AlGaAs)の発光ダイオードから成っている。

特徴

  • 拡張された産業穏健な範囲、-40°Cへの125°C
  • 高いノイズ耐性は35kV/µs最低の共通モード拒絶によって特徴付けた
  • 2.5Aピーク出力のほとんどの1200V/20A IGBTのための現在の駆動機構
  • 出力段階のP-channelのMOSFETsの使用は供給の柵の近くの出力電圧振動を可能にする
  • 15Vからの30Vへの広い供給電圧の範囲
  • 速い切り替え速度
    • 最高400 ns。伝搬遅延
    • 最高100 ns。脈拍幅のゆがみ
  • ヒステリシスを用いる不足電圧閉鎖(UVLO)
  • 安全および規定する(承認のために迄)
    • UL1577、1 min.の5000 VACRMS。
    • DIN EN/IEC60747-5-5の1,414ボルトのピーク働く絶縁材の電圧(VIORM)
  • RDS ()1Ω (典型的な)提供の低い電力の消滅の
  • 1414Vピークの働く絶縁材の電圧(VIORM)
  • Pb−Free装置

適用

  • 産業インバーター
  • 無停電電源装置
  • 誘導加熱
  • 隔離されたIGBT/Power MOSFETのゲート ドライブ

ブロック ダイヤグラム

FOD3125 3Aのゲート ドライブ オプトカプラー高温5000Vrms 1チャネル8-PDIP
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