Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

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穴TO-247を通したBIDW30N60Tの堀の視野絞りIGBT 600V 60A 230W

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穴TO-247を通したBIDW30N60Tの堀の視野絞りIGBT 600V 60A 230W

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型式番号 :BIDW30N60T
最低順序量 :50pcs
供給の能力 :1000000個
電圧 - コレクタ エミッタ内訳 (最大) :600V
電流 - コレクター (Ic) (最大) :60 A
現在-脈打つコレクター(Icm) :90 A
Vce () (最高) @ Vge、IC :1.65V @ 15V、30A
パワー - 最大 :230 W
ゲート充満 :76 NC
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穴TO-247を通したBIDW30N60T IGBTの堀の視野絞り600 V 60 A 230 W

Bournsは値をつけられた絶縁されたゲートの両極トランジスターを模倣する

BournsはMOSFETのゲートおよび両極トランジスターからの値をつけられた絶縁されたゲートの両極トランジスター(IGBTs)コンバインの技術を模倣したりおよび高圧/高い現在の適用のために設計されている。モデルはより低いCollector-Emitterの飽和電圧および少数の転換の損失に終って動特性のより大きい制御を、提供するためにIGBTsの使用高度の堀ゲート分野停止技術の値をつけた。IGBTsは+150°Cの実用温度範囲に-55°Cを特色にし、TO-252、TO-247およびTO-247Nのパッケージで利用できる。これらの熱的に有効な部品はスイッチ モード電源(SMPS)、連続動力源(UPS)、および力率訂正(PFC)の適用にそれらに適したIGBTの解決をするより低い熱抵抗を提供する。

特徴

  • BIDD05N60T
    • 600V、5Aの低いCollector-Emitterの飽和電圧
    • 堀ゲート分野停止技術
    • 伝導のために最大限に活用される
    • 強い、TO-252パッケージ
    • 迎合的なRoHS
  • BIDW20N60T
    • 600V、20Aの低いCollector-Emitterの飽和電圧
    • 堀ゲート分野停止技術
    • 伝導のために最大限に活用される
    • 低い転換の損失
    • TO-247パッケージ
    • 迎合的なRoHS
  • BIDW30N60T
    • 600V、30Aの低いCollector-Emitterの飽和電圧
    • 堀ゲート分野停止技術
    • 伝導のために最大限に活用される
    • TO-247パッケージ
    • 迎合的なRoHS
  • BIDW50N65T
    • 600V、50Aの低いCollector-Emitterの飽和電圧
    • 堀ゲート分野停止技術
    • 伝導のために最大限に活用される
    • TO-247パッケージ
    • 迎合的なRoHS
  • BIDNW30N60H3
    • 600V、30Aの低いCollector-Emitterの飽和電圧
    • 堀ゲート分野停止技術
    • 低い転換の損失
    • 速い切換え
    • TO-247Nのパッケージ
    • 迎合的なRoHS

適用

  • スイッチ モード電源(SMPS)
  • 連続動力源(UPS)
  • 力率訂正(PFC)
  • インバーター(唯一のBIDW50N65T)
  • 誘導加熱(唯一のBIDW30N60TおよびBIDNW30N60H3)
  • ステッピング モーター(唯一のBIDW20N60T)
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