
Add to Cart
BournsはMOSFETのゲートおよび両極トランジスターからの値をつけられた絶縁されたゲートの両極トランジスター(IGBTs)コンバインの技術を模倣したりおよび高圧/高い現在の適用のために設計されている。モデルはより低いCollector-Emitterの飽和電圧および少数の転換の損失に終って動特性のより大きい制御を、提供するためにIGBTsの使用高度の堀ゲート分野停止技術の値をつけた。IGBTsは+150°Cの実用温度範囲に-55°Cを特色にし、TO-252、TO-247およびTO-247Nのパッケージで利用できる。これらの熱的に有効な部品はスイッチ モード電源(SMPS)、連続動力源(UPS)、および力率訂正(PFC)の適用にそれらに適したIGBTの解決をするより低い熱抵抗を提供する。