製品カテゴリ

力管理IC

[12]

企業との接触

Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

ウェブサイトにアクセスします

シティ：shenzhen

国/地域：china

連絡窓口：Missalphademo@maoyt.com

表示連絡先の詳細

企業との接触

VS-GT90DA120U IGBTのトランジスターモジュール単一1200V 169A 781Wのシャーシの台紙SOT-227

最新の価格を尋ねる

型式番号 :VS-GT90DA120U

最低順序量 :50pcs

供給の能力 :1000000個

電圧 - コレクタエミッタ内訳 (最大) :1200V

電流 - コレクター (Ic) (最大) :169 A

パワー - 最大 :781 W

Vce （）（最高） @ Vge、IC :2.6V @ 15V、75A

電流 - コレクタカットオフ (最大) :100μA

実用温度 :-40℃～150℃(TJ)

企業との接触

Add to Cart

製品の説明を表示

VS-GT90DA120U IGBTモジュールの堀の単一の1200のV 169 A 781 Wのシャーシの台紙SOT-227を視野絞り

Vishayの半導体IGBT力モジュール

Vishayの半導体IGBT力モジュールの特徴の堀PT IGBTの技術はティグ溶接機械の方に連動になり。これらのIGBTsはHEXFRED®およびフレッドPt®のダイオードの技術結合し、ULの標準に合う。ある変形のINT-A-PAKの特徴は高い電圧および流れを要求する限られた高さの条件の設計を可能にする。EMIPAK-2Bのパッケージは改善された熱性能のためのPressFitピンそして露出された基質を特色にする。最大限に活用されたレイアウトは外部変数を最小にするのを助けよりよいEMIの性能を可能にする。Vishayの半導体IGBT力モジュールは電気器具モータードライブ、電気自動車モータードライブ、太陽インバーター、無停電電源装置（UPS）、および力率訂正のコンバーターのような適用で使用される。

特徴

堀PT IGBTの技術
1200V堀および視野絞りの技術の変形
速い回復のフレッドPtのanti-parallelダイオード
PressFitピン技術
ultrasoft逆の回復特徴のHEXFREDのantiparallelダイオード
低い熱抵抗の露出されたAl2O3基質
統合されたサーミスター
低い内部インダクタンス
低い転換の損失

評価される短絡
正方形RBSOA
十分に隔離されたパッケージ
非常に低い内部インダクタンス
業界標準の輪郭
ULはファイルE78996を承認した
低いVセリウム（）
Al2O3DBC
産業レベルのために設計されている

適用

産業高周波溶接
ティグ溶接
UPS
太陽インバーター

スイッチモード電源（SMPS）
力率訂正（PFC）
誘導加熱

商品のタグ：