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onsemi FGHL75T65MQDTxの堀IGBTsは4である十分に評価される現在のダイオードと技術でいっぱいのThの世代別中間速度IGBTs。FGHL75T65MQDTx IGBTsはエミッターの電圧に175°C最高の接合部温度、650Vコレクター、および75Aコレクター流れで作動する。これらのIGBTsは容易な平行操作のための肯定的な温度係数を、高い現在の機能、滑らかな、最大限に活用された切換えおよび堅い変数配分特色にする。FGHL75T65MQDTはTO247-3Lのパッケージで造られ、FGHL75T65MQDTL4 IGBTはTO247-4Lのパッケージで造られる。これらのIGBTsは太陽インバーター、UPS、ESS、PFCおよびコンバーターの適用にとって理想的である。