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部品番号UCC27517ADBVT製造されたものTI電子製品の主要販売業者の一つとして,私たちは世界のトップメーカーから多くの電子部品を運んでいます.
詳細についてはUCC27517ADBVT詳細な仕様,価格表,リードタイム,支払い条件などについては,ご連絡ください.ご問い合わせを処理するために,ごメッセージに量を追加してください.
製品の詳細/パラメータ
| 供給電圧 (DC) | 4.50V (分) |
| 上昇/減少 時間 | 8 ns, 7 ns |
| 出力インターフェイス数 | 1 |
| ピン数 | 5 |
| 昇る時間 | 22 ns |
| 秋の時間 | 11 ns |
| 秋の時間 (最大) | 11 ns |
| 上昇時間 (最大) | 22 ns |
| 動作温度 (最大) | 140 °C |
| 動作温度 (分) | -40 °C |
| 電源電圧 | 4.5V~18V |
| 供給電圧 (最大) | 18V |
| 推奨された在庫リストの一部 | ||
| UCC27517DBVR | TI | SOT-23-5 |
| UCC27524DR | TI | SOIC-8 |
| UCC27511DBVR | TI | SOT-23-6 |
| UCC27517DBVT | TI | SOT-23-5 |
| UCC27531DBVR | TI | SOT-23-6 |
| UCC27524DGNR | TI | パワーパッド-MSOP-8 |
| UCC27524D | TI | SOIC-8 |
| UCC27524DGN | TI | パワーパッド-MSOP-8 |
| UCC27531DBVT | TI | SOT-23-6 |
| UCC27524P | TI | DIP-8 |
UCC27517A シングルチャネル 高速 low-side gate driver device provides an excellent alternative to the proposed device for effectively driving metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) and insulated-gate bipolar transistor (IGBTs) power switchesUCC27517aは高温から沈み peak current pulses into capacitive loads that provide rail-to-rail drive capability with minimal propagation delay (13 ns typical) by using a design that inherently reduces the breakdown current significantly.
利点
1部品の供給源は価格を決定します
2価格は数量に基づいて交渉可能で 配送条件
3貨物料を削減するために 顧客を助けます
4商品の価格は頻繁に変化します,あなたが価格を引用する必要がある場合は,あなたが必要とするモデルを教えてください,我々はあなたに同じ日に標準の価格として合理的な価格を与える
