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デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
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GT20J301東芝はゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBTを絶縁した
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企業との接触
デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
シティ：
shenzhen
省/州：
guangdong
国/地域：
china
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MrsVIVI
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GT20J301東芝はゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBTを絶縁した
製品の詳細
GT20J301:Nチャネル（高い発電の切換えの運動制御の適用）東芝 東芝はゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBTを絶縁した 高い発電の転換の適用 運動制御の適用 ●第3生成 ●強化モード ●高速。:tf=0.30pμs （最高。） ●低い飽和電圧:VCE （坐った） =2.7V （最...
製品詳細図 →
商品のタグ：
チャネルのigbtの東芝の半導体
mosfetのigbt
隔離ゲート双極トランジスタ igbt
