デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社

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省/州:guangdong
国/地域:china
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BC846B 1B SMD SOT23 NPN PNPのトランジスター分離した半導体

BC846B 1B SMD SOT23 NPN PNPのトランジスター分離した半導体
  • BC846B 1B SMD SOT23 NPN PNPのトランジスター分離した半導体
  • BC846B 1B SMD SOT23 NPN PNPのトランジスター分離した半導体
製品の詳細
BC846B 1B NPNの一般目的のトランジスターSMD SOT23分離した半導体 特徴 •低い現在(最高。100 Ma) •低電圧(最高。65 V)。 適用 •一般目的の切換えおよび拡大。 記述 Sot23プラスチック パッケージのNpnのトランジスター。 Pnpの補足物:Bc856、Bc857...
製品詳細図 →