ボルトだけAM29DL323GB90VI ICのメモリー チップ32のメガビット（4 16ビットM x 8-Bit/2 M X） CMOS 3.0同時操作のフラッシュ私
Am29DL32xG
32メガビット（4 16ビットM x 8-Bit/2 M X）
ボルトだけCMOS 3.0同時操作のフラッシュ・メモリ
特有な特徴
建築利点
■の同時読み書き操作
—データは1つの銀行から間、絶えず読むことができます
消去を実行して/他の銀行で機能をプログラムして下さい
—読まれる間の潜伏を0点規正し、操作を書いて下さい
■多数銀行建築
—異なった銀行サイズと利用できる3つの装置
（表3）を参照して下さい
■ 256バイトのSecSi™ （しっかり止められていたケイ素）のセクター
—締まり、確認可能な工場:16バイトのために利用できる
安全な、任意工場電子通し番号;
自動選択によって締まる工場として証明できる
機能。ExpressFlashの選択は全体のセクターをに可能にします
工場しっかり止められていたデータのために利用できてであって下さい
—ロックできる顧客:プログラム可能な1回。
ロックされた、データは変えることができません。
■のゼロ力操作
—洗練された力管理回路は減ります
ほぼに不活性期間の間に消費される力
ゼロ
■のパッケージの選択
— 63ボールFBGA
— 48ボールFBGA
— 48ピンTSOP
— 64ボールによって強化されるBGA
■の上または底ブート ブロック
0.17のµmの加工技術で製造された■
JEDECの標準と互換性がある■
—と互換性があるPinoutおよびソフトウェア
単一力供給の抜け目がない標準
パフォーマンス特性
■の高性能
—速い70 nsとしてアクセス時間
—プログラム時間:4 µs/wordの典型的な利用は加速します
機能
■の超低いパワー消費量（典型的な価値）
— 2 mAの能動態は1つのMHzで流れを読みました
— 10 mAの能動態は5つのMHzで流れを読みました
—スタンバイか自動休眠モードの200 nA
■の最低每に保証される1，000,000の消去周期
セクター
■ 125°Cの20年データ保持
—システムの生命の信頼できる操作
ソフトウェア機能
■のデータ管理ソフトウェア(DMS)
— AMD供給されたソフトウェアはデータ プログラミングを管理します、
EEPROMの模範化を可能にすること
—歴史的セクターの消去のフラッシュの限定を楽にします
■は支えます共通のフラッシュ・メモリ インターフェイス（CFI）を
■の消去/消去の概要は中断します
—消去操作をプログラムすることを割り当てるように中断します
同じ銀行
■のData#の投票およびトグル ビット
—状態をの検出するソフトウェア方法を提供します
プログラムまたは消去周期
■はバイパス プログラム命令の鍵を開けます
—出るときオーバーオールのプログラミングの時間を減らします
多数プログラム コマンド シーケンス
ハードウエア特徴
■はセクターのあらゆる組合せ消すことができます
出力される準備ができた/Busy# ■ （RY/BY#）
—プログラムか消去を検出するためのハードウェア方法
周期の完了
■ハードウェア調整ピン（RESET#）
—内部状態を再調節するハードウェア方法
読まれたモードへの機械
■ WP#/ACCの入力ピン
—書込禁止（WP#）機能は2の保護を可能にします
セクターにもかかわらず一番外のブート・セクタは、保護します
状態
—加速(ACC)機能はプログラムを加速します
タイミング
■のセクターの保護
—セクターを、どちらか締めるハードウェア方法
内部システムかプログラミング装置を、へ使用すること
プログラムを防ぐか、またはそれの内の操作を消して下さい
セクター
—一時的なセクターUnprotectはデータを変えることを割り当てます
保護されたセクター内部システム
デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
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