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2N7002PW NPN PNPのトランジスターNチャネル60V 310mA （Ta）の260mW （Ta）表面の台紙SC-70
記述
このMOSFETはオン州の抵抗（RDS設計されていました（）最小にするように）を今までのところではそれに高性能力管理適用のための理想をする優秀な切換えの性能を維持して下さい。
適用
の運動制御の
力の管理機能
を特色にします
低いオン抵抗の
低いゲートの境界の電圧
低い入力キャパシタンス
速い切り替え速度の
小さい表面の台紙のパッケージの
迎合的な全く無鉛及び十分にRoHS （ノート1及び2）
ハロゲンおよびアンチモンは放します。「緑」装置（ノート3及び4）
高い信頼性のためにAEC-Q101標準に修飾される
機械データ
場合:SOT23
場合材料:形成されたプラスチック、「緑の」形成の混合物。94V-0の湿気感受性を評価するULの燃焼性の分類:J-STD-020ごとのレベル1
ターミナル:無光沢の錫の終わりは合金42のleadframe （無鉛めっき）にアニールしました。MIL-STD-202の方法208ごとのSolderable
ターミナル コネクション:図表のを見て下さい
重量:0.008グラム（おおよそ）
| 製品特質 | すべてを選んで下さい |
| 部門 | 分離した半導体製品 |
| トランジスター- FETs、MOSFETs -は選抜します | |
| 製造業者 | Nexperia USA Inc。 |
| シリーズ | - |
| 包装 | テープ及び巻き枠(TR) |
| 部分の状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | Nチャネル |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させて下さいに源の電圧（Vdss） | 60V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 310mA （Ta） |
| 運転して下さい電圧（最高Rds、分Rdsを） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 1.6オーム@ 500mA、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 2.4V @ 250µA |
| 充満（（最高） Qg） @ Vgsをゲートで制御して下さい | 0.8nC @ 4.5V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入力キャパシタンス(Ciss) （最高） @ Vds | 50pF @ 10V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 260mW （Ta） |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| 土台のタイプ | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | SC-70 |
| パッケージ/場合 | SC-70、SOT-323 |
デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
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