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IRFP240一般目的の整流器ダイオードNチャネル200V 20A （穴を通したTc） 150W （Tc）
特徴
•動的dV/dtの評価
•評価される反復的ななだれ
•隔離された中央取り付け穴
•速い切換え•平行になる容易さ
•簡単なドライブ条件
•RoHS指導的な2002/95/ECに迎合的
記述
Vishayからの第三世代力のMOSFETsは速い切換え、高耐久化された装置設計、低いオン抵抗および費用効果の最もよい組合せをデザイナーに与えます。TO-247ACのパッケージは高い発電のレベルがTO-220AB装置の使用を排除する商業産業適用のために好まれます。TO-247ACは類似しているより早いTO-218パッケージへの目上の人ので隔離された取り付け穴でありではない。それはまたほとんどの安全指定の条件を満たすためにピン間のすばらしい表面漏れ間隔を提供します。
| 製品特質 | すべてを選んで下さい |
| 部門 | 分離した半導体製品 |
| トランジスター- FETs、MOSFETs -は選抜します | |
| 製造業者 | Vishay Siliconix |
| シリーズ | - |
| 包装 | 管 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | Nチャネル |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させて下さいに源の電圧（Vdss） | 200V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 20A （Tc） |
| 運転して下さい電圧（最高Rds、分Rdsを） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 180 mOhm @ 12A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA |
| 充満（（最高） Qg） @ Vgsをゲートで制御して下さい | 70nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入力キャパシタンス(Ciss) （最高） @ Vds | 1300pF @ 25V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 150W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| 土台のタイプ | 穴を通して |
| 製造者装置パッケージ | TO-247-3 |
デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
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TEL:86-0755-82539981