ISO9001.pdf
適用:
IPD100N04S402ATMA1は,DC電源スイッチ,モーター制御,照明制御,電子トランスフォーマーなどの分野で一般的に使用されるNチャネルMOSFETトランジスタです.
結論は
IPD100N04S402ATMA1は,低導電抵抗,高スイッチ速度,低スロープ電圧,高温での作業能力の特徴を有する.システム効率と信頼性を向上させる.
パラメーター:
排気源電圧 (Vdss): 40V
連続流出電流 (Id): 90A
排水源の抵抗 (Rds On): 3.7m Ω
ゲートスリージングル電圧 (Vgs th): 2.5V
最大動作温度 (Tjmax): 175 °C
パッケージ:TO-252 (DPAK)
| 製品技術仕様 |
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| |
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| EU RoHS |
免除聽 に準拠する |
| ECCN (アメリカ) |
EAR99 |
| 部品のステータス |
アクティブ |
| HTS |
8541.29.00.95 |
| SVHC |
そうだ |
| SVHC 制限値を超え |
そうだ |
| 自動車 |
そうだ |
| PPAP |
知らない |
| 製品カテゴリー |
パワー MOSFET |
| 構成 |
シングル |
| プロセス技術 |
オプティモス-T2 |
| チャンネルモード |
強化 |
| チャンネルタイプ |
N |
| チップ1個あたりエレメント数 |
1 |
| 最大排水源電圧 (V) |
40 |
| ゲートソースの最大電圧 (V) |
¥20 |
| 最大ゲートスリージングル電圧 (V) |
4 |
| 最大連続流出電流 (A) |
100 |
| 最大排水源抵抗 (MOhm) |
2@10V |
| 典型的なゲートチャージ @ Vgs (nC) |
91@10V |
| 典型的なゲート充電 @ 10V (nC) |
91 |
| 典型的な入力容量 @ Vds (pF) |
7250@25V |
| 最大電力の分散 (mW) |
150000 |
| 典型的な秋時間 (ns) |
24 |
| 典型的な上昇時間 (ns) |
12 |
| 典型的な切断遅延時間 (ns) |
26 |
| 典型的なオンアップ遅延時間 (ns) |
23 |
| 最低動作温度 ( capturC) |
-55歳 |
| 最大動作温度 ( capturC) |
175 |
| 供給者の温度グレード |
自動車 |
| パッケージ |
テープ と リール |
| 最大パルス排出電流 @ TC=25 capturC (A) |
400 |
| マウント |
表面マウント |
| パッケージの高さ |
2.3 |
| パッケージの幅 |
6.22 |
| パッケージの長さ |
6.5 |
| PCBが変わった |
2 |
| タブ |
タブ |
| 標準パッケージ名 |
TO-252 |
| 供給者 パッケージ |
DPAK |
| ピン数 |
3 |
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