ISO9001.pdf
適用:
IPD50N04S4L-08は電気用具、電気自動車および電源のような強力な転換回路で一般的なN-channel MOSFET力トランジスターである。
結論:
IPD50N04S4L-08に力の切換えの高性能そして信頼性を達成できる低い伝導の抵抗、高い切り替え速度および低い漏出流れの利点がある。
変数:
最高の消滅力:50W
最高の下水管の電圧:40V
最高の下水管の流れ:50A
伝導の抵抗:8m Ω
入れられたキャパシタンス:2235pF
出力キャパシタンス:345pF
包装:
IPD50N04S4L-08は包むTO-252の包装、小さい容積およびよい熱放散の性能がある別名DPAKを採用する。
| プロダクト技術仕様 |
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| |
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| EU RoHS |
免除の聽と迎合的 |
| ECCN （米国） |
EAR99 |
| 部分の状態 |
未確認 |
| SVHC |
はい |
| SVHCは境界を超過する |
はい |
| 自動車 |
はい |
| PPAP |
未知数 |
| 製品カテゴリ |
力MOSFET |
| 構成 |
単一 |
| 加工技術 |
OptiMOS |
| チャネル モード |
強化 |
| チャネル タイプ |
N |
| 破片ごとの要素の数 |
1 |
| 最高の下水管の源の電圧（v） |
40 |
| 最高のゲート源電圧（v） |
卤20 |
| 最高の連続的な下水管現在の（a） |
50 |
| 最高の下水管の源の抵抗（mOhm） |
7.3@10V |
| 典型的なゲート充満@ Vgs （NC） |
23@10V |
| 典型的なゲート充満@ 10V （NC） |
23 |
| 典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF） |
1800@25V |
| 最高の電力損失（MW） |
46000 |
| 典型的な落下時間（ns） |
18 |
| 典型的な上昇時間（ns） |
8 |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間（ns） |
11 |
| 典型的なTurn-On遅れ時間（ns） |
4 |
| 最低の実用温度（掳C） |
-55 |
| 最高使用可能温度（掳C） |
175 |
| 製造者の温度の等級 |
自動車 |
| 包装 |
テープおよび巻き枠 |
| 土台 |
表面の台紙 |
| パッケージの高さ |
2.15 |
| パッケージの幅 |
6.22 |
| パッケージの長さ |
6.5 |
| PCBは変わった |
2 |
| タブ |
タブ |
| 標準パッケージの名前 |
TO-252 |
| 製造者のパッケージ |
DPAK |
| ピン・カウント |
3 |
| 鉛の形 |
カモメ翼 |
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