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NCV33072DR2Gの新しく、元のSOP8集積回路
| プロダクト技術仕様 | |
| EU RoHS | 迎合的 |
| ECCN （米国） | EAR99 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| HTS | 8542.33.00.01 |
| 自動車 | はい |
| PPAP | はい |
| タイプ | 一般目的のアンプ |
| 製造業者のタイプ | 一般目的のアンプ |
| 破片ごとのチャネルの数 | 2 |
| 加工技術 | 両極 |
| 最高は入れたオフセットの電圧（mV）を | 5@5V |
| 最低の単一の供給電圧（v） | 3 |
| 典型的な単一の供給電圧（v） | 28|24|18|15|12|9|5 |
| 最高の単一の供給電圧（v） | 44 |
| 最低の二重供給電圧（v） | ±1.5 |
| 典型的な二重供給電圧（v） | ±18|±15|±12|±9|±5|±3 |
| 最高の二重供給電圧（v） | ±22 |
| 典型的な低レベルの出力電圧（v） | 0.1 |
| 典型的な高レベル出力電圧（v） | 4 |
| 最高によって入れられるオフセットの流れ（uA） | 0.075@±15V |
| 典型的な入れられたバイアス流れ（uA） | 0.1@±15V |
| 最高によって入れられるバイアス流れ（uA） | 0.5@±15V |
| 最高の静止流れ（mA） | 4@5V |
| 典型的な出力電流（mA） | 30 |
| 電源のタイプ | 二重|単一 |
| 典型的なスルー・レート（V/us） | 13@±15V |
| 典型的な入れられた騒音の電圧密度（nV/rtHz） | 32@±15V |
| 典型的な電圧利益（dB） | 100 |
| 典型的なNoninvertingの入力電流の騒音密度（pA/rtHz） | 0.22@±15V |
| 最低PSRR （dB） | 70 |
| 最低CMRR （dB） | 70 |
| 最低CMRRの範囲（dB） | 70から71 |
| 典型的な利益帯域幅プロダクト（MHz） | 4.5 |
| 典型的な演算時間（ns） | 2200 |
| 締められたサポート | いいえ |
| 最低の実用温度（°C） | -40 |
| 最高使用可能温度（°C） | 125 |
| 製造者の温度の等級 | 自動車 |
| 包装 | テープおよび巻き枠 |
| 土台 | 表面の台紙 |
| パッケージの高さ | 1.5 （最高） |
| パッケージの幅 | 4 （最高） |
| パッケージの長さ | 5 （最高） |
| PCBは変わった | 8 |
| 標準パッケージの名前 | そう |
| 製造者のパッケージ | SOIC N |
| ピン・カウント | 8 |
| 鉛の形 | カモメ翼 |