製品カテゴリ

企業との接触

Shenzhen Xinshengyuan Electronic Technology Co., Ltd.

シティ：shenzhen

国/地域：china

連絡窓口：MrDavid Chen

表示連絡先の詳細

企業との接触

SJ6010DRP

最新の価格を尋ねる

カテゴリー :離散半導体製品ティリスター SCR

電圧 - オン状態 (Vtm) (最大) :1.6V

製品の状況 :アクティブ

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ :テープ&ロール (TR)

現在-国家を離れて… （最高） :10 µA

シリーズ :-

電流 - オン状態 (It (AV)) (最大) :6.4 A

Mfr :Littelfuse Inc。

供給者のデバイスパッケージ :TO-252、（D朴）

-国家（で…それ（RMS）現在）（最高） :10 A

電圧 - 停止状態 :600V

動作温度 :-40°C ~ 150°C (TJ)

現在-ゲートの制動機（（最高） Igt） :15 mA

電圧-ゲートの制動機（（最高） Vgt） :1.5 V

パッケージ/ケース :TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63

SCR タイプ :標準回収

現在-把握（（最高） Ih） :30 mA

基本製品番号 :SJ6010

電流 - 非再現電波 50,60Hz (Itsm) :83A,100A

記述 :SCR 600V 10A TO252

企業との接触

Add to Cart

製品の説明を表示

SCR 600 V 10 A 標準復元表面マウント TO-252, (D-Pak)

商品のタグ：

MJ11032G

EL5308ES

G32 330

お問い合わせカート 0

SJ6010DRP

集積回路の破片

チタニウムの集積回路

デジタル集積回路

アナログ・デバイセズの破片

STのマイクロチップ

NXP ICの破片

XILINX FPGAの破片

ALTERA FPGAの破片

格言の集積回路

マイクロ集積回路

MCUのマイクロ制御回路単位

DDR SDRAM

高い発電MOSFET

電子ICの破片

MOSFETの破片

MPS DC DC

SJ6010DRP

MJ11032G

EL5308ES

G32 330

SJ6010DRP

集積回路の破片

チタニウムの集積回路

デジタル集積回路

アナログ・デバイセズの破片

STのマイクロ チップ

NXP ICの破片

XILINX FPGAの破片

ALTERA FPGAの破片

格言の集積回路

マイクロ集積回路

MCUのマイクロ制御回路単位

DDR SDRAM

高い発電MOSFET

電子ICの破片

MOSFETの破片

MPS DC DC

SJ6010DRP

MJ11032G

EL5308ES

G32 330

STのマイクロチップ