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電気および前のマイクロウェーブGrapheneの膨張の炉窒素の加熱装置
HY-PH12010Eは1000°Cの下で完全なGrapheneの膨張の温度は文献に従って950°Cのまわりにあると考慮されるが絶えず働くことができます。
HY-PH12010Eは加熱装置がガスが冷たい窒素のガスの流入と950°Cに回復する温度に時間かかるので前に比較された時間を加熱装置なしで炉と節約する管に入る前に窒素を熱するために前に装備されています。
HY-PH12010Eは前陣装置か前に処置装置として機能、浸炭窒化装置等のような後部装置に接続することができます。
HY-PH12010Eは1日あたりの10~55kgまでgrapheneの多くの生産に生産能力達することができます適用することができます。
| 変数 | HY-PH12010E | |
| 力 | 電圧 | 380V±10V、50Hz |
| 評価される力 | 25KW | |
| 電気暖房力 | 18KW | |
| マイクロウェーブ システム | 出力電力マイクロウェーブ | 調節可能な0.10~11.20KW絶えず |
| マイクロ波振動数 | 2.45GHz | |
| マイクロウェーブ漏出防止 | マイクロウェーブ漏出強度 <2mw>2 | |
| 断熱材システム | 最高T | 1000°C |
| 働く温度 | 0~950°C | |
| 暖房スペース（D×H） | Φ300×800mm | |
| 温度調整システム | 温度の測定方法 | 熱電対 |
| 温度の測定の範囲 | 0~1300°C | |
| 温度調整の精密 | ±0.1% | |
| 制御システム | 自動の、手動および等温の制御モード、 PLC+Touchスクリーン |
プログラム可能な技術的な変数、データ記憶および輸出の実時間カーブのデータ表示、動的データ表示の40の区分 |
| 供給モード | automaticly | |