U形シリコンカービッド (SiC) の加熱装置と工業炉用の棒加熱装置
製品概要
シリコン・カービッド (SiC) の加熱要素は 高品質の非金属型電気ヒーターで 極端な産業環境のために設計されていますこの要素は信頼性の高い高温の工業用炉やオーブンの主熱源として長続きする性能600°Cから1500°C (1112°Fから2732°F).
主要 な 利点
- 特殊な高温性能:1500°C (2732°F) まで安定した動作
- 優れた耐久性高密度で老化が遅い再結晶化SiC構造で使用寿命が延長される
- 高効率で速い加熱:優れた熱伝導性により,迅速な加熱時間と省エネが確保されます
- 汎用的な設置:垂直または水平の設置と互換性がある
- 簡単に維持できる標準化 設計 は 交換 を 簡素 に し,停滞 期間 を 短く する
製品種類と産業用用途
標準 (SW) ストレート・ストッド・エレメント
最も汎用的で経済的なタイプで,幅広い大気 (空気または制御) に適しています.
- 最大温度:1400°Cまで (大気による)
- 装置:垂直または水平の固定
- 典型的な用途:一般用途の工業用炉,陶器のシンタリング,粉末メタルルジー
U型シリコンカービッド熱装置
2つの同一のSiC棒 (それぞれが熱帯と冷たい端を持つ) で構成され,低抵抗SiCブリッジで接続され,堅固な"U"形を形成する.
- 利点:2つの並列の熱い表面を持つコンパクトな加熱ゾーンを提供します.コネクターはまた,マウントポイントとして機能することができます.
- 典型的な用途:コンパクトな電気炉,実験室の炉,特定のパターンで集中熱を必要とする用途
W型 / 3相シリコンカービッド元素
SGC (Dumbbell) で垂直設置とSGD (Standard) で水平設置で利用できます.高純度SiC棒が3つシリコンカービッド横棒で接続されています.片側端末アクセス可能な三相電源への直接接続のために設計された.
- 主要な特徴:大規模な産業用環境で均衡した高電力暖房に最適
- 典型的な用途:浮遊ガラス浴炉,大型熱処理炉,高容量炉
スパイラル式シリコンカービッド熱装置
シングルスパイラルとダブルスパイラルで,高級SiC粉末から形状のスパイラルで形成され,より大きな表面積と熱放射線を高めます.
- 利点:均等な温度分布に最適
- 典型的な用途:陶器,ガラス,金属加工のための様々な高温炉や炉で広く使用
技術データと仕様
| プロパティ |
価値 |
プロパティ |
価値 |
| 特殊重力 |
2.6〜2.8g/cm3 |
曲がる強さ |
>300 kg/cm2 |
| 硬さ (モス) |
>9 |
張力強度 |
>150 kg/cm2 |
| 孔隙率 |
<30% |
放射性 (放射性) |
0.85 |
異なる大気圏における推奨表面負荷
構成要素の寿命と炉の設計に欠かせない
| 大気 |
最大炉温 (°C) |
表面負荷 (W/cm2) |
SiC元素への影響 |
| 酸素 / 空気 |
1310 |
3.8 |
SiO2 保護層を形成する (正常酸化) |
| 窒素 |
1370 |
3.1 |
シリコンナイトリドの隔熱層を形成する可能性がある |
| 水素 |
1290 |
3.1 |
メタンを作り出し,SiO2層を傷つけます |
| 水蒸気 |
1090年〜1370年 |
3.1-3.6 |
シリコンヒドレートを形成する可能性がある |
| 炭化物 |
1370 |
3.8 |
性能に影響する炭素を貯蔵できる |
| ハロゲンガス |
704 |
3.8 |
腐食性があり 保護層を破壊します |
| アモニア |
1290 |
3.8 |
メタンを作り出し,SiO2層を傷つけます |
特定の大気や温度での用途については 常にエンジニアに相談してください
設置,使用,安全に関するガイドライン
適正な処理により 性能と寿命が最適になります
- 保存:電気特性に影響を与える湿度吸収を防ぐために,乾燥した環境で要素を保持
- グループマッチング:設置前には,抵抗によって要素をグループ化します. 負荷の均等な分布のために, ± 10% の範囲内の許容が推奨されます.
- 慎重 に 扱う:SiC は 硬くても 脆い.設置 や 保守 の 間 に 機械 的 な 衝撃 や ストレス を 避ける
- 起動手順:熱ショック や 過剰 な 電流 増加 を 防ぐ ため,即時 の 全電源 を 避ける
- 代替プロトコル:損傷したエレメントは,同様の (または少し高い) 抵抗を持つ新しいエレメントに置き換える.複数のエレメントが故障するか,抵抗が大幅に増加した場合 (>20-30%),バランスの取れた動作のために,セット全体を交換する.
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