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当社は、設計、開発、生産、サービスを統合した輸出志向の企業です。低い人件費と高度な技術力を持つ労働力、最先端の生産設備により、高品質な製品を低価格で製造し、コストパフォーマンスの高い製品を提供することができます。国内外のすべての皆様に、ビジネス関係の構築、または相互利益を得るための協力など、お気軽にお問い合わせください。
パラメータ:
|
性能 |
単位 |
HS-A |
HS-P |
HS-XA |
|
粒度 |
μm |
4-10 |
4-10 |
4-10 |
|
密度 |
g/cm |
≥3.1 |
3.0-3.1 |
>3.1 |
|
硬度（ヌープ） |
Kg/mm² |
2800 |
2800 |
2800 |
|
曲げ強度 4 pt @ RT |
MPa*m1/2 |
385 |
240 |
420 |
|
*10³1b/in² |
55 |
55 |
55 |
|
|
圧縮強度 @ RT |
Mpa |
3900 |
|
3900 |
|
*10³1b/in² |
560 |
560 |
||
|
弾性率 @ RT |
Gpa |
410 |
400 |
410 |
|
*10³1b/in² |
59 |
58 |
59 |
|
|
ワイブル係数（2パラメータ） |
|
8 |
19 |
12 |
|
ポアソン比 |
|
0.14 |
0.14 |
0.14 |
|
破壊靭性 @ RT ダブルトルション & SENB |
MPa*m1/2 |
8 |
8 |
8 |
|
*1³1b/in²in½ |
||||
|
熱膨張係数 RT to 700℃ |
X10-6mm/mmK |
4.02 |
4.2 |
4.02 |
|
X10-6 in/in°F |
2.2 |
2.3 |
2.2 |
|
|
最高使用温度.空気 平均比熱 @ RT |
°C |
1900 |
1900 |
1900 |
|
J/gmK |
0.67 |
0.59 |
0.67 |
|
|
熱伝導率 @ RT |
W/mK |
125.6 |
110 |
125.6 |
|
Btu/ft h°F |
72.6 |
64 |
72.6 |
|
|
@200°C |
W/mK |
102.6 |
|
102.6 |
|
Btu/ft h°F |
59.3 |
59.3 |
||
|
@400°C |
W/mK |
77.5 |
|
77.5 |
|
Btu/ft h°F |
44.8 |
44.8 |
||
|
RT to 1000°Cでの透過性 |
31MPa以下でガス漏れなし |
|||
|
電気抵抗率 @ RT |
Ohm-cm |
102-106 |
N/A |
102-106 |
|
放射率 |
|
0.9 |
0.9 |
0.9 |
SiCパドルは、半導体、LED、太陽エネルギー産業における拡散プロセス用のウェーハボートホルダーとして使用されます。
SiCプロセスチューブは、半導体、LED、太陽エネルギー産業の拡散炉設備に使用されます。
SiCボートは、ホウ素またはリン拡散プロセスにおけるウェーハホルダーとして使用され、ディスクリート半導体産業で広く使用されています。
SiCドラゴンウェーハボートは、高温拡散プロセスにおけるウェーハホルダーとして広く使用されています。
高温での化学的安定性
優れた高温強度
耐熱衝撃性
酸とアルカリに対する耐食性
優れた熱伝導率
カスタマイズされたサービス
安定した品質と迅速な納期
