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LPDDR3ソケット インターポーザーのための2.0mm HDI PCBsは4-2-4液浸の金を積み重ねる
より高いデータ転送速度のための要求およびDDRの概念へのSDRの進化へのより大きいデータ密度の鉛。より高いデータ転送速度のための要求およびDDRへのSDRの進化へのより大きいデータ密度の鉛。DDR SDRAMでは、データは両方の端–、また否定的な端で肯定的なデータ転送速度の倍増の結果時間を記録される。このように、DDRはSDR SDRAMと比較されるすばらしい帯域幅を達成する;それは時計の頻度を高めないで移動率を倍増する。
ここ数十年間に、多くの記憶改善はDDRの技術で行われた。DDRは市場で非常に普及するようになり、ノート、ラップトップ、サーバーおよび埋込型計算システムで広く使用される。DDRは操作の増加された速度のような多くの強化、改善された貯蔵密度、減らされたパワー消費量を提供し、CRCのかまれた逆転の概念の実行による減らされたSSNの騒音のような間違いの検出機能を加える。次のセクションでは、私達はDDRの記憶および利点の進化を論議する。
2 . 指定:
| 名前 | 2.0mm LPDDR3インターポーザーPCBs |
| 層の数 | 4-2-4層 |
| 質等級 | IPC 6012のクラス2のIPC 6012のクラス3 |
| 材料 | 無鉛材料 |
| 厚さ | 2.0mm |
| 最低トラック/間隔 | 3/3mil |
| 最低の穴のサイズ | 0.075mmレーザーの訓練 |
| はんだのマスク | 緑 |
| シルクスクリーン | 白い |
| 表面の終わり | 液浸の金 |
| 終了する銅 | 1OZ |
| 調達期間 | 28-35日 |
| 速い回転サービス | はい |
1 . 記述:
DDR4実施のために必要とされるPCBのレイアウトの変更は何であるか。
DDR4か二重データ転送速度4は2つの明瞭なモジュールのタイプ入って来。So-DIMMか小さい輪郭のラップトップのような携帯用計算装置で使用中である二重インライン記憶モジュール（260ピン）。他のモジュールのタイプは卓上およびサーバーのような装置で使用中である二重インライン記憶モジュール（288ピン）またはDIMMである。
従って、建築の最初の変更は、当然、ピン・カウントが原因である。前の繰り返し（DDR3）はDIMMのために240ピンおよびSo-DIMMのために204ピンを使用する。前に述べられて、DDR4 DIMMの適用のために288ピンを使用する一方。ピンまたは接触の増加によって、DDR4は出力効率のより高いDIMM容量、高められたデータ保全、より速いダウンロードの速度および増加を提供する。
性能のこの全面的な改善に伴うことはまたよりよい可能にする曲げられた設計である（底は取付けの間に）、より安全な付属品およびそれを安定性および強さを改善する。また、DDR4は性能の50%の増加を提供し、3,200までMTs （毎秒にメガ移動）達成できることを確認するベンチチェックがある。
なお、それはより少ない力の使用にもかかわらず性能のこれらの増加を達成する;前任者の1.35ボルトの条件への1.5の代りの1.2ボルト（DIMMごとに）。これらの変更すべてはPCBデザイナーがDDR4の実施のための彼らの設計アプローチを再査定しなければならないことを意味する。