最新の価格を尋ねる
正会員
5 年
Add to Cart
LPDDR4ソケット インターポーザーのための2.0mm HDI PCBsは4-2-4液浸の金を積み重ねる
1 . 記述:
DDR4実施のために必要とされるPCBのレイアウトの変更は何であるか。
DDR4か二重データ転送速度4は2つの明瞭なモジュールのタイプ入って来。So-DIMMか小さい輪郭のラップトップのような携帯用計算装置で使用中である二重インライン記憶モジュール（260ピン）。他のモジュールのタイプは卓上およびサーバーのような装置で使用中である二重インライン記憶モジュール（288ピン）またはDIMMである。
従って、建築の最初の変更は、当然、ピン・カウントが原因である。前の繰り返し（DDR3）はDIMMのために240ピンおよびSo-DIMMのために204ピンを使用する。前に述べられて、DDR4 DIMMの適用のために288ピンを使用する一方。ピンまたは接触の増加によって、DDR4は出力効率のより高いDIMM容量、高められたデータ保全、より速いダウンロードの速度および増加を提供する。
性能のこの全面的な改善に伴うことはまたよりよい可能にする曲げられた設計である（底は取付けの間に）、より安全な付属品およびそれを安定性および強さを改善する。また、DDR4は性能の50%の増加を提供し、3,200までMTs （毎秒にメガ移動）達成できることを確認するベンチチェックがある。
なお、それはより少ない力の使用にもかかわらず性能のこれらの増加を達成する;前任者の1.35ボルトの条件への1.5の代りの1.2ボルト（DIMMごとに）。これらの変更すべてはPCBデザイナーがDDR4の実施のための彼らの設計アプローチを再査定しなければならないことを意味する。
2 . 指定:
| 名前 | 2.0mm LPDDR4インターポーザーPCBs |
| 層の数 | 4-2-4層 |
| 質等級 | IPC 6012のクラス2のIPC 6012のクラス3 |
| 材料 | 無鉛材料 |
| 厚さ | 2.0mm |
| 最低トラック/間隔 | 3/3mil |
| 最低の穴のサイズ | 0.075mmレーザーの訓練 |
| はんだのマスク | 緑 |
| シルクスクリーン | 白い |
| 表面の終わり | 液浸の金 |
| 終了する銅 | 1OZ |
| 調達期間 | 28-35日 |
| 速い回転サービス | はい |
二重データ率、かDDRの記憶はプリント基板の設計で今日非常に共通である。多くの設計はレイアウトの特定の誘導パターンを要求するこのメモリ環境設定の版を使用する。DDRは元の単一のデータ転送速度（SDR）の記憶の二重率である時計サイクルごとの信号を二度送り、受け取る機能からその国名がつけられる。このような理由で倍増された率は、DDRの記憶のための跡の旅程性能指定に合うためにより堅い変数を保持しなければならない。
記憶回路部品の設計へのキーはタイミングの指定に合うことにある。各信号はデータが準の刻時信号の落ちる上がり、端で捕獲することができるように時間を計られる必要がある。DDRの記憶の各々の新しい繰り返しを用いるデータ転送速度の増加が、タイミングの差益より狭くなるので。これはタイミングの条件を達成するため精密な誘導パターンが必要であるところである。