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4MHz Liposunix HIFU機械silmmingおよび若返り/しわの取り外し
きつく締まることの皮を剥ぎなさい
高輝度集中された超音波（HIFU）は従って皮のコラーゲンおよびこうして質を改善すること、皮の弛むことを減らすことを刺激し、更新できるsubcutaneousティッシュおよび皮に直接熱エネルギーを提供する。それは文字通り改築の結果を達成するまたはボディは侵略的な外科なしで持ち上がるまたは注入は、さらに、このプロシージャの加えられたボーナス ダウンタイムがないことである。
この技術は表面、また全身に適用することができまた、レーザーおよび強い脈拍ライトのそれと対照をなしてすべての皮膚色の人々のために、同様にうまく働く。
ボディ細く
Lipoのhifuシステムは精密な深さ（13mm）で目標とされたsubcutaneous脂肪を使用し、単一の１時間処置の後で皮の下の目標とされた脂肪組織をちょうど、予想できる結果破壊する急速なローカル温度上昇を非侵襲的に破壊するために均一エネルギーを提供するのに高輝度の集中された超音波を腹部およびフランクでもたらす。それは皮の層を突き通し、皮か周囲のティッシュに害を与えないで目標とされた脂肪質のティッシュに達することができる。その間細胞の新陳代謝させた内容（トリグリセリド、脂肪酸）は血循環およびリンパ排水によってボディから人体に害を与えないで自動的に排泄する。
1.DS-4.5mm:高エネルギー集中された超音波を皮、subcutaneousティッシュ、超音波頬、等のような厚い皮に4.5mmの深さに皮を、目標とされる地方形作るに送信するため、「熱凝固」を直接subcutaneous SMASの層突き通すために。
2. DS3.0mm:皮のティッシュの皮膚の層への送信の高周波に、皮を3.0mmの深さに、皮のコラーゲンの皮膚層を活動化させるために責任があったり、効果的に輪郭の強化の効果を突き通し、また大きい気孔を改良し、しわの出現を減らす超音波は高める。
3. DS1.5mm:1.5mmの深さに皮を突き通すために表皮のティッシュに高エネルギー集中された超音波を、超音波は送信するためシンナーのティッシュの皮の表皮を活動化させるために責任がある。
技術仕様
| 入力パワー | AC 100V - 240V 50/60Hz |
| Hifuの打撃 | 10の000の打撃 |
| 動作周波数 | 4MHz |
| 間隔 | 1.0-10mm （0.5mm/step） |
| 出力電力 | 0.2-2.0J （0.1J/Step） |
| 焦点距離 | 5.0への25mm （1.0mm/step） |
| Lipohifuの打撃 | 600の打撃 |
| 単一の出力エリア | 46*46mm2 |
| 単一の出力ポイント | 576ポイント |
接触数:
Whatsapp/電話:0086 13264014855