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4MHz Liposunix HIFU機械silmmingおよび若返り/しわの取り外し
皮のきつく締まること
高輝度集中された超音波(HIFU)は従って刺激でき、皮のコラーゲンおよびこうして質を改善することそして皮の弛むことを減らすことを更新し、subcutaneousティッシュおよび皮に直接熱エネルギーを提供します。それは文字通り改築の結果を達成しますまたは侵略的な外科または注入のないボディ上昇は、さらに、このプロシージャの加えられたボーナス ダウンタイムがないことです。
この技術は表面、また全身に適用することができまた、レーザーおよび強い脈拍ライトのそれと対照をなしてすべての皮膚色の人々のために、同様にうまく働きます。
ボディ細く
Lipoのhifuシステム使用高輝度の集中された超音波は精密な深さ（13mm）で目標とされたsubcutaneous脂肪を提供しま、単一の１時間処置の後で皮の下の目標とされた脂肪組織をちょうど、予想できる結果破壊する急速なローカル温度上昇を非侵襲的に破壊するために均一エネルギーを腹部およびフランクでもたらします。それは皮の層を突き通し、皮か周囲のティッシュに害を与えないで目標とされた脂肪質のティッシュに達することができます。その間細胞の新陳代謝させた内容（トリグリセリド、脂肪酸）は血循環およびリンパ排水によってボディから人体に害を与えないで自動的に排泄します。
1.DS-4.5mm:4.5mmの深さ、地方「熱凝固」を形作る直接subcutaneous SMASの層に皮を突き通すために皮に高エネルギー集中された超音波を、subcutaneousティッシュ送信するためには、超音波は頬、等のような厚い皮に、目標としました。
2. DS3.0mm:皮のティッシュの皮膚の層への送信の高周波に、3.0mmの深さに皮を突き通す超音波は皮のコラーゲンの皮膚層を活動化させるために責任がありが、効果的に輪郭の強化の効果を高め、また大きい気孔を改良し、そしてしわの出現を減らします。
3. DS1.5mm:1.5mmの深さに皮を突き通すために表皮のティッシュに高エネルギー集中された超音波を、超音波は送信するためより薄いティッシュの皮の表皮を活動化させるために責任がある。
技術仕様
| 入力パワー | AC 100V - 240V 50/60Hz |
| Hifuの打撃 | 10の000の打撃 |
| 動作周波数 | 4MHz |
| 間隔をあけること | 1.0-10mm （0.5mm/step） |
| 出力電力 | 0.2-2.0J （0.1J/Step） |
| 焦点距離 | 5.0への25mm （1.0mm/step） |
| Lipohifuの打撃 | 600の打撃 |
| 単一の出力エリア | 46*46mm2 |
| 単一の出力ポイント | 576ポイント |
接触数:
Whatsapp/電話:0086 13264014855