Shenzhen Hicorpwell Technology Co., Ltd

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企業の実験室のLazer 1550nm DFBの半導体レーザー繊維の出力電力4mW箱のパッケージ

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企業の実験室のLazer 1550nm DFBの半導体レーザー繊維の出力電力4mW箱のパッケージ

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型式番号 :1550nm DFBの半導体レーザー
原産地 :中国
最低順序量 :50 PC
支払の言葉 :ウェスタン・ユニオン、L/C、T/T
供給の能力 :1週あたりの500pcs
包装の細部 :ESD箱
タイプ :1550nm DFBの半導体レーザー
高いResponsivity :≥0.85A/W 1310nm ≥o.90nm 1550nm
前方流れ :30V
レーザーのタイプ :繊維レーザー
支払 :TT/PayPal
最高。逆電圧 :15 (PD)
長さの選択 :0.1~1mの選択
繊維 :SM 9/125
力 :2mw
パッケージ :ESD箱
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良質の企業の実験室のLazer 1550nm DFBの半導体レーザー繊維の出力電力4mW箱のパッケージ

 

繊維光学の通信システムのために設計されているInGaAs PINフォトダイオード モジュール。

これらのモジュールは容器モジュールで、高いresponsivityの、高速および低い暗電流を備えている。

フォトダイオードは容器と統合される同軸パッケージに取付けられる。SC、FCまたはSTのタイプは利用できる。

 

1. 特徴:

 

InGaAs PINフォトダイオード

高いresponsivity

最低2GHz帯域幅

低い暗電流

SC、FCまたはSTの容器

安価

 

2. 適用:

 

アナログの光レシーバ

試験装置

FTTHネットワーク

CATV前方/帰路

EDFAのモニター

光学輸送システム

光学digtialコミュニケーション

FTTxシステム

光学ギガビットのイーサネット

 

3. 絶対最高評価Tc=25°C:

 

変数 記号 評価 単位
飽和力 Ps 10.0 MW
前方流れ 10.0 mA
逆転器の電圧 Vr 30 V
実用温度 -40~+85 °C
保管温度 Tstg -40~+125 °C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.Opticalおよび電気特徴Tc=25°C:

 

 

変数 記号 Min. タイプ 最高。 単位 テスト条件
作動の波長 λ 1100 1310 1650 nm  
責任 R 0.85 0.9   A/W Vr=5Vのλ =1310nm
0.9 0.95   A/W Vr=5Vのλ =1550nm
暗電流 ID   0.5 1.0 nA Vr=5V
キャパシタンス C   0.3 1.0 pF Vr=5V
上昇時間/落下時間 Tr/Tf     0.3 ns Vr=5V、10|90%
帯域幅 Bw 2.5     GHz Vr=5V

 

 

 

HicorpwellはであるInGaAsの同軸フォトディテクターのダイオード モジュール(アナログの光学活動的な容器ローザ プラグを差し込むため)の専門のプラグ

中国の製造業者。

私達はまた蝶半導体レーザー、InGaAsの同軸ピグテール レーザーの探知器ダイオード、同軸ピグテールのダイオード レーザー装置を提供する

そしてもっと。

 

5.  PDのピン アサイン:

             

                               

                      企業の実験室のLazer 1550nm DFBの半導体レーザー繊維の出力電力4mW箱のパッケージ

                                       

                                                    

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   

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