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SC /FC/LC APCの繊維光学のピグテールSM 9 /125um 1310nm 2.5GHz FP及びDFBの同軸半導体レーザー
これらの半導体レーザーは欧州連合指導的な2011/65/EUに完全に準拠するように設計され、造られる–
電気および電子機器のある特定の危険な物質（RoHS）の使用の制限。
繊維の長さをカスタマイズでき、繊維のタイプ、そのような1m、SM繊維、またはまた上等の1.5M繊維62.5/125 MMのできる。
1の絶対最高評価（Tc=25℃）
| 変数 | 記号 | 評価 | 単位 |
| 動作電流 | （LD） | Ith+20 | mA |
| 逆のVolatage | Vr （LD） | 2.0 | V |
| 動作電流 | （PD） | 2 | mA |
| 逆電圧 | Vr （PD） | 15 | V |
| 実用温度 | Topr | -40~+85 | ℃ |
| 保管温度 | Tstg | -40~+85 | ℃ |
| 溶接の温度 | Tsld | 260/10 | ℃ /S |
2. 光学および電気特徴（Tc=25℃）
| 変数 | 記号 | Min. | タイプ | 最高。 | 単位 | テスト条件 | |
| 境界の流れ | Ith | 4 | 15 | mA | CW | ||
| 前方電圧 | Vop | 1.2 | 1.5 | V | CW、If=Iop | ||
| 光学出力電力 | Pf | 1 | 4 | MW | CW、If=Ith+20mA | ||
| 中心の波長 | FP | λc | λc-20 | λc | λc+20 | nm | λc=1270~1650 |
| DFB | λc | λc-10 | λc | λc+10 | nm | ||
| CWDM | λc | λc-3 | λc | λc+3 | nm | ||
| 上昇/落下の時間（10~90の） % | Tr/Tf | 0.4 | nS | If=Ith、Po=Pf （10-90） % | |||
| モニターの流れ | Im | 100 | 1000 | uA | CW、P0= Pf | ||
| キャパシタンス | CPD | 10 | 15 | PF | VRD=5V | ||
| 暗電流 | ID | 1 | nA | VRD=5V | |||
| 側面モード抑制の配給量 | SMSR | 35 | 40 | dB | CW、Po=5mW | ||
| 分離 | ISO | 30 | dB | ||||
繊維力の設計からの顧客の要求に従って;サイド モード抑制の比率はDFBレーザー モジュールにだけ適用する。
FPレーザーの波長範囲±20nm;DFBの半導体レーザーの波長範囲±10nmのCWDMの半導体レーザーの波長範囲±3nm
3. 特徴
FP及びDFBの同軸包装
作り付けInGaAs/PINのモニター
高い信頼性、長い操作の生命
4. 適用
光トランスミッタまたは日付信号
アナログ信号の光トランスミッタ
Bidi光学モジュールおよび光学トランシーバー
試験装置
5. LD PinASSIGNMENT
6.Purchase情報LD-XXX-XXXX-XXX同軸パッケージの半導体レーザー
| — X | X | X | — X | X | X | X | — X | X | X | |
| パッケージのタイプ | タイプconncetor |
パッケージ シリーズ |
タイプLD | 波長 | 力 |
PD Conn ectorピン |
日付率 | アイソレーター | A&V ROHS | |
| 繊維 | Rec | |||||||||
|
P:繊維
R:容器 |
F:FC/UPC S:SC/UPC T:ST/PC FA:FC/APC SA:SC/APC N:いいえ |
:FC-1 B:FC-2 C:FC-3 D:SC E:ST |
1:タイプ1 2:タイプ2 3:タイプ3 4:タイプ4 5:タイプ5 いいえ:R |
D:DFB LD
F:FP LD |
31:1310nm 55:1550nm 51:1510nm 53:1530nm 57:1570nm |
05:0.5mW 10:1.0mW 20:2.0mW 30:3.0mW 40:4.0mW |
:タイプA B:タイプB C:タイプC |
1:1.25Gb/s 2:2.5Gb/s |
G:アイソレーター
いいえ:何も |
R:パスROHS
いいえ:何も |
部品番号はlasetがダイオードLDのFPの波長である1310nmのピンであるタイプAの力である1mWであることをPFA2-F3110A-1GRのそれ意味するである。
