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アナログの半導体レーザー延長1550nm PD-PFA1-60BR-W7 2.5Gアナログ・デバイセズ半導体レーザーの運転者
1.Features
DFBまたはFPの半導体レーザー
InGaAsの作り付けのモニター
高い信頼性
長い操作の生命
固定レーザ溶接
さまざまなコネクター
さまざまな消された力（0.5mW~10mW）
2. 適用
データ信号の光トランスミッタ
アナログ信号の光トランスミッタ
Bidi光学モジュールおよび光レシーバ
試験装置
トランシーバー モジュール
テレコミュニケーション
3.Absoulte最高の評価（Tc=25℃）
| 変数 | 記号 | 評価 | 単位 |
| LDの動作電流 | （LD） | Ith+20 | mA |
| LDの逆電圧 | Vr （LD） | 2.0 | V |
| PDの動作電流 | （PD） | 2 | mA |
| PDの逆電圧 | Vr （PD） | 15 | V |
| 実用温度 | Topr | -40~+85 | ℃ |
| 保管温度 | Tstg | -40~+85 | ℃ |
| 溶接の温度 | Tsld | 260/10 | ℃/S |
4.Opticalおよび電気特徴（Tc=25℃）
| 変数 | 記号 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 | テスト条件 |
| 境界の流れ | Ith | 5 | 15 | mA | CW | |
| 前方電圧 | Vop | 1.1 | 1.6 | V | CW、If=Iop | |
| 光学出力電力 | PP | 0.2 | 5 | MW | CW、If=Ith+20mA | |
| 中心の波長 | λc | λ-20 | λ | λ+20 | nm | CW、P0 = Pf |
| λ-5 | λ | λ+5 | ||||
| λ-3 | λ | λ+3 | ||||
| 上昇/落下の時間（10~90の） % | Tr/Tf | 0.4 | nS | If=Ith、Po=Pf （10-90） % | ||
| モニターの流れ | Im | 0.1 | 1 | mA | CW、P0 = Pf | |
| キャパシタンスPD | Cpd | 10 | 15 | PF | VRD=5V | |
| 暗電流PD | ID | 1 | nA | VRD=5V | ||
| 側面モード抑制の配給量 | SMSR | 30 | 35 | dB | CW、Po=5mW | |
| アイソレーター | Iso | 30 | dB |
5の順序情報:
| — X | X | X | — X | X | X | X | — X | X | X | |
| Pasckage | タイプ コネクター | ブーツ | 材料 | 波長 | 力 | Pin | 日付率 | アイソレーター | ROHS | |
| ピグテール | Rec | |||||||||
|
P:ピグテール繊維 R:容器 |
F:FC/UPC FA:FC/APC S:SC/UPC SA:SC/APC T:ST/UPC N:いいえ |
:FC-1 B:FC-2 C:FC-3 D:SC E:ST F:LC |
1:タイプ1 2:タイプ2 3:タイプ3 4:タイプ4 5:タイプ5 N:Rec |
D:DFB F:FP |
3:1310nm 5:1550nm 27:1270nm 51:1510nm … 61:1610nm |
05:0.5mW 10:1.0mW … 80:8.0mW |
:タイプA B:タイプB C:タイプC |
1:1.25G 2:2.5G 3:3G … 10:10 G |
G:アイソレーター DG:二重段階のアイソレーター いいえ:いいえ |
R:パスRohs |
HCW-PFA2-F3110A-1GRのような、それはそれを意味する:HCWはhicropwellのブランド、LD意味する半導体レーザーをである、
Pはピグテール繊維、FAを意味するFC/APCのコネクター、2つの平均のタイプ2のブーツ、Fを意味するFPの半導体レーザーを意味する、
31の平均1310nmの10の平均1.0mWの手段のピン アサインのタイプA、
1GRはアイソレーターとの1.25Gを意味し、ROHSを渡した。
