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1550nm 2.5G DFBの半導体レーザーLC/APCの同軸繊維光学のピグテールSM 9 /125um
1. 特徴:
Fabry Perotの（複数のQuatumよ）構造を採用しなさい
DFBの同軸パッケージ
InGaAsの作り付けのモニター
高い信頼性、長い操作の生命
固定レーザ溶接
さまざまなコネクターのタイプ
さまざまな出力電力（0.5mw-8mw）
2.Applications:
データ信号の光トランスミッタ
アナログ信号の光トランスミッタ
Bidi光学モジュールおよび光レシーバ
試験装置
トランシーバー モジュール
テレコミュニケーション
3.ABSOLUTE最高の評価（Tc=25°C）
| 変数 | 記号 | 評価 | 単位 |
| LDの動作電流 | （LD） | Ith+20 | mA |
| LDの逆電圧 | Vr （LD） | 2.0 | v |
| PDの動作電流 | （PD） | 2 | mA |
| PDの逆電圧 | Vr （PD） | 15 | V |
| Operationgのtempereture | Topr | -40~+85 | °C |
| 貯蔵のtempereture | Tstg | -40~+85 | °C |
| 溶接のtempereture | Tsld | 260/10 | °C/S |
4. （Tc=25oC）光学および電気特徴
| 変数 | 記号 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 | テスト条件 |
| 境界の流れ | Ith | 5 | 15 | mA | CW | |
| 前方電圧 | Vop | 1.1 | 1.6 | V | CW、If=Iop | |
| 光学出力電力 | Pf | 0.2 | 2.0 | MW | CW、If=Ith+20mA | |
| 中心の波長 | λc | 1547 | 1550 | 1553 | nm | CW、P0 = Pf |
| 上昇/落下の時間（10~90の） % | Tr/Tf | 0.4 | nS | If=Ith、Po=Pf （10-90） % | ||
| モニターの流れ | Im | 0.1 | 1 | mA | CW、P0 = Pf | |
| キャパシタンスPD | CPD | 10 | 15 | PF | VRD=5V | |
| 暗電流PD | ID | 1 | nA | VRD=5V | ||
| 側面モード抑制の配給量 | SMSR | 30 | 35 | dB | CW、Po=5mW |
繊維力の設計からの顧客の要求に従って;サイド モード抑制の比率はDFBレーザー モジュールにだけ適用する。
5. LD PinASSIGNMENT
6.Purchase情報BLLD-XXX-XXXX-XXX同軸パッケージの半導体レーザー
| — X | X | X | — X | X | X | X | — X | X | X | |
| パッケージのタイプ | タイプconncetor |
パッケージ シリーズ |
タイプLD | 波長 | 力 |
PD Conn ectorピン |
日付率 | アイソレーター | A&V ROHS | |
| 繊維 | Rec | |||||||||
|
P:繊維
R:容器 |
F:FC/UPC S:SC/UPC T:ST/PC FA:FC/APC SA:SC/APC N:いいえ |
:FC-1 B:FC-2 C:FC-3 D:SC E:ST |
1:タイプ1 2:タイプ2 3:タイプ3 4:タイプ4 5:タイプ5 いいえ:R |
D:DFB LD
F:FP LD |
31:1310nm 55:1550nm 51:1510nm 53:1530nm 57:1570nm |
05:0.5mW 10:1.0mW 20:2.0mW 30:3.0mW 40:4.0mW |
:タイプA B:タイプB C:タイプC |
1:1.25Gb/s 2:2.5Gb/s |
G:アイソレーター
いいえ:何も |
R:パスROHS
いいえ:何も |
部品番号はlasetがダイオードLDのFPの波長である1310nmのピンであるタイプAの力である1mWであることをPFA2-F3110A-1GRのそれ意味するである。
