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BSH201 NPN PNP トランジスタ Pチャネル 60V 300mA (Ta) 417mW (Ta) 表面マウント
Pチャネル強化モード BSH201 MOSトランジスタ
特徴SYMBOL QUICK REFERENCE DATA •低しきい電圧 VDS = -60 V •高速スイッチング •論理レベル互換ID = -0.3 A •ミニチュア表面マウントパッケージ RDS ((ON) ≤ 2.5 Ω (VGS = -10 V)
一般的な記述 ピンリング SOT23
Pチャネル,強化モード,PIN DESCRIPTION 論理レベル,フィールド効果電源トランジスタこのデバイスは,低1ゲートスロープ電圧と非常に速いスイッチを設定し,2つのソースバッテリー駆動アプリケーションと高速デジタルインターフェースのための理想的な. 3 排水
BSH201は,SOT23サブミニチュア表面マウントパッケージで提供されています.
| 製品属性 | すべてを選択する |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ - FET,MOSFET - シングル | |
| 製造者 | Nexperia USA Inc. |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 部品のステータス | アクティブ |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 2.5オム @ 160mA 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 1V @ 1mA (分) |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 70pF @ 48V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 417mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | TO-236AB |