オリジナル プログラミング IC チップ 256K 32K X 8 5 ボルトのみ Cmos フラッシュ メモリ AT29C256-12JC

オリジナル プログラミング IC チップ 256K 32K X 8 5 ボルトのみ Cmos フラッシュ メモリ AT29C256

256K (32K x 8) 5 ボルト専用フラッシュ メモリ AT29C256

特徴

• 高速読み取りアクセス時間 – 70 ns

• 5ボルトのみの再プログラミング

• ページプログラムの操作

– シングルサイクル再プログラム (消去とプログラム)

– 64 バイトの内部アドレスおよびデータ ラッチ

• 内部プログラム制御とタイマー

• ハードウェアおよびソフトウェアのデータ保護

• 高速なプログラムサイクルタイム

– ページ (64 バイト) プログラム時間 – 10 ミリ秒

– チップ消去時間 – 10ms

• プログラムの終了を検出するための DATA ポーリング

• 低消費電力

– 50mAの有効電流

– 300μAのCMOSスタンバイ電流

• 通常の耐久性 > 10,000 サイクル

• 単一 5V ± 10% 電源

• CMOSおよびTTL互換の入力および出力

• 商業および産業用の温度範囲

説明

AT29C256 は、5 ボルト専用のインシステム フラッシュ プログラム可能および消去可能な読み取り専用メモリ (PEROM) です。その 256K のメモリは 32​​,768 ワード x 8 ビットとして構成されています。Atmel の高度な不揮発性 CMOS テクノロジーで製造されたこのデバイスは、わずか 275 mW の消費電力で 70 ns までのアクセス時間を実現します。デバイスが選択解除されると、CMOS スタンバイ電流は 300 µA 未満になります。デバイスの耐久性は、通常、どのセクターにも 10,000 回を超えて書き込むことができるほどです。

ピン配置

PLCCとLCCのトップビュー

注: PLCC パッケージのピン 1 と 17 は接続されていません。

TSOP上面図タイプ1

簡単なシステム内再プログラムを可能にするため、AT29C256 はプログラミングに高い入力電圧を必要としません。5 ボルトのみのコマンドはデバイスの動作を決定します。デバイスからのデータの読み取りは、スタティック RAM からの読み取りと似ています。AT29C256 の再プログラミングはページ単位で実行されます。64 バイトのデータがデバイスにロードされ、同時にプログラムされます。デバイス全体の内容は、6 バイトのソフトウェア コードを使用して消去できます (ただし、プログラミング前の消去は必要ありません)。再プログラム サイクル中、アドレス位置と 64 バイトのデータが内部でラッチされ、アドレスとデータ バスが他の操作のために解放されます。プログラム サイクルの開始に続いて、デバイスは自動的にページを消去し、内部制御タイマーを使用してラッチされたデータをプログラムします。プログラムサイクルの終了は、I/O7 の DATA ポーリングによって検出できます。プログラム サイクルの終了が検出されると、読み取り、プログラム、またはチップ消去の新しいアクセスを開始できます。

ブロック図

絶対最大定格*

バイアス下の温度................................-55°C ～ +125°C

保管温度................................................-65°C ～ +150°C

すべての入力電圧 (NC ピンを含む)

グランド基準 ...................................-0.6V ～ +6.25V

すべての出力電圧

グランド基準 ....................................-0.6V ～ VCC + 0.6V

OE の電圧

グランド基準 ...................................-0.6V ～ +13.5V

*注意: 「絶対最大定格」に記載されているストレスを超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これはストレス定格のみであり、これらの条件またはこの仕様の動作セクションに示されている条件を超えるその他の条件でのデバイスの機能動作は暗示されません。絶対最大定格条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります。