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ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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フラッシュ・メモリICの破片 (30)
プログラム可能なICの破片 (56)
コンピュータICは欠ける (26)
LEDの運転者IC (36)
力管理IC (28)
集積回路の破片 (28)
MCUのマイクロ制御回路単位 (157)
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電子ICの破片 (2981)
電子部品 (279)
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Flash Memory IC Chip
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M29W640FB70N6E プログラミング Ic チップ 64 Mbit (8Mb x8 または 4Mb x16 、ページ、ブート ブロック) 3V 電源フラッシュ メモリ
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製品カテゴリ
フラッシュ・メモリICの破片
[30]
プログラム可能なICの破片
[56]
コンピュータICは欠ける
[26]
LEDの運転者IC
[36]
力管理IC
[28]
集積回路の破片
[28]
MCUのマイクロ制御回路単位
[157]
表示運転者IC
[10]
IGBT力モジュール
[10]
アンプICは欠ける
[10]
電子ICの破片
[2981]
電子部品
[279]
企業との接触
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
シティ：
shenzhen
国/地域：
china
連絡窓口：
MsDoris Guo
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M29W640FB70N6E プログラミング Ic チップ 64 Mbit (8Mb x8 または 4Mb x16 、ページ、ブート ブロック) 3V 電源フラッシュ メモリ
製品の詳細
M29W640FB プログラミング Ic チップ 64 Mbit (8Mb x8 または 4Mb x16、ページ、ブート ブロック) 3V 電源フラッシュ メモリ 機能の概要 • 供給電圧 – VCC= プログラム、消去、読み取りの場合は 2.7V ～ 3.6V – VPP=12 V (高速プログ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
pc2 4200ラム
e5 2680 インテル V4
pc133ラム
