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特徴
• 供給電圧範囲 = 3.0 Vdc ～ 18 Vdc
• すべての出力はバッファリングされる
• 定格温度範囲にわたって 2 つの低電力 TTL 負荷または 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷を駆動可能。
• すべての入力での二重ダイオード保護（MC14011B および MC14081B の三重ダイオード保護を除く）
• 対応する CD4000 シリーズ B サフィックス デバイスのピンごとの置換
• 鉛フリーパッケージも利用可能*
B シリーズ ロジック ゲートは、単一のモノリシック構造 (相補型 MOS) 内の P および N チャネル エンハンスメント モード デバイスで構成されています。それらの主な用途は、低消費電力および/または高いノイズ耐性が求められる場合です。
最大定格 (VSS を基準とした電圧)
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット |
| VDD | DC電源電圧範囲 | −0.5〜＋18.0 | V |
| ヴィン、ヴァウト | 入力または出力電圧範囲 (DC または過渡電圧) | −0.5〜VDD+0.5 | V |
| イイン、イアウト | ピンごとの入力または出力電流 (DC または過渡電流) | ±10 | ミリアンペア |
| PD | パッケージあたりの消費電力 | 500 | mWTA |
| た | 周囲温度範囲 | −55〜＋125 | ℃ |
| tstg | 保存温度範囲 | −65〜＋150 | ℃ |
| TL | リード温度（8秒はんだ付け） | 260 | ℃ |
| 19-217/S2C-FM2P1VY/3T | 6000 | エバーライト | 新しい | SMD |
| 1B22AN | 6000 | 広告 | 新しい | 浸漬 |
| 1N4758A-タップ | 10000 | ビシェイ | 新しい | DO-41 |
| 1N4936GP-E3/73 | 6000 | ビシェイ | 新しい | DO-41 |
| 1N5062 | 5000 | ファイ | 新しい | SOD-57 |
| 1N5062-E3/73 | 8000 | ビシェイ | 新しい | DO-15 |
| 1N5359BRLG | 8000 | の上 | 新しい | CASE17 |
| 1N5401RLG | 8000 | の上 | 新しい | DO-201 |
| 1N5819HW-7-F | 9000 | ダイオード | 新しい | SOD-123 |
| 1N5821RLG | 7500 | の上 | 新しい | DO-201 |
| 1N914BTR | 10000 | FSC | 新しい | DO-35 |
| 1SMA5923BT3G | 10000 | の上 | 新しい | DO-214 |
| 1SMB5930BT3G | 5000 | の上 | 新しい | 中小規模企業 |
| 1SMB5956BT3G | 5000 | の上 | 新しい | 中小規模企業 |
| 2016L030DR | 7500 | リテルファス | 新しい | SMD |
| 20279-001E-01 | 7500 | I-PEX | 新しい | SMD |
| 20CL36 | 5000 | フェアチャイルド | 新しい | TO-263 |
| 23LC1024-I/SN | 5000 | マイクロチップ | 新しい | SOP8 |
| 2450AT18B100E | 5000 | ヨハンソン | 新しい | SMD |
| 2450BM15A0002E | 5000 | ヨハンソン | 新しい | SMD |
| 24AA256T-I/SN | 5000 | マイクロチップ | 新しい | SOP8 |