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NAND128-A、NAND256-A NAND512-A、NAND01G-A 128
Mbit、256 Mbit、512 Mbit、1 Gbit (x8/x16) 528 バイト/264 ワード ページ、1.8V/3V、NAND フラッシュ メモリ
特徴：
■高密度NANDフラッシュメモリ
– 最大1Gビットのメモリアレイ
– 最大 32 Mbit のスペア領域
– 大容量ストレージアプリケーション向けのコスト効率の高いソリューション
■ NAND インターフェイス – x8 または x16 バス幅
– 多重化されたアドレス/データ
– あらゆる密度に対するピン配列の互換性
■ 供給電圧
– 1.8V デバイス: VDD = 1.7 ～ 1.95V
– 3.0V デバイス: VDD = 2.7 ～ 3.6V
■ ページサイズ
– x8 デバイス: (512 + 16 予備) バイト
– x16 デバイス: (256 + 8 予備) ワード
■ブロックサイズ
– x8 デバイス: (16K + 512 予備) バイト
– x16 デバイス: (8K + 256 予備) ワード
■ ページリード / プログラム
– ランダムアクセス: 12μs (最大)
– シーケンシャルアクセス: 50ns (分)
– ページプログラム時間: 200µs (標準)
■ コピーバックプログラムモード
– 外部バッファリングを使用しない高速ページコピー
■ 高速ブロック消去 – ブロック消去時間: 2ms (標準)
■ステータスレジスタ
■ 電子署名
■ チップイネーブル「ドントケア」オプション
– マイクロコントローラーとのシンプルなインターフェース
■シリアルナンバーオプション
■ ハードウェアデータ保護
– 電源遷移中のプログラム/消去はロックされます
| 絶対最大定格(1) |
|
コレクタ・ベース電圧 VCBO -60 V |
| トランス BC847BLT1 | 18000 | の上 | 中国 |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | ヤゲオ | 中国 |
| RC0805JR-071KL | 20000 | ヤゲオ | 中国 |
| ディオード DF06S | 3000 | 9月 | 中国 |
| キャップ 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | 日本 |
| ディオード US1A-13-F | 50000 | ダイオード | マレーシア |
| インデューター。100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | 日本 |
| RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | ヤゲオ | 中国 |
| RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | ヤゲオ | 中国 |
| ディオード P6KE180A | 10000 | ビシェイ | マレーシア |
| RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | ヤゲオ | 中国 |
| ダイオド UF4007 弾薬 | 500000 | 総務省 | 中国 |
| トランス。ZXMN10A09KTC | 20000 | ゼテックス | 台湾 |
| RES0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | ヤゲオ | 中国 |
| アコプラドール・オティコ。MOC3021S-TA1 | 10000 | ライトオン | 台湾 |
| トランス MMBT2907A-7-F | 30000 | ダイオード | マレーシア |
| トランス STGW20NC60VD | 1000 | ST | マレーシア |
| CI LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | タイ |
| CI MC33298DW | 1000 | MOT | マレーシア |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | フリースカル | マレーシア |
| CI P8255A5 | 4500 | インテル | 日本 |
| CI HM6116P-2 | 5000 | 日立 | 日本 |
| CI DS1230Y-150 | 2400 | ダラス | フィリピン |
| トランス。ZXMN10A09KTC | 18000 | ゼテックス | 台湾 |
| トライアック BT151-500R | 500000 | モロッコ | |
| CI HCNR200-000E | 1000 | アバゴ | 台湾 |
| トライアック TIC116M | 10000 | TI | タイ |
| ディオード US1M-E3/61T | 18000 | ビシェイ | マレーシア |
| ディオード ES1D-E3-61T | 18000 | ビシェイ | マレーシア |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | フリースカル | 台湾 |
| CI CD40106BE | 250 | TI | タイ |
| アコプラドール PC733H | 1000 | シャープ | 日本 |
| トランス NDT452AP | 5200 | FSC | マレーシア |
| CI LP2951-50DR | 1200 | TI | タイ |
| CI MC7809CD2TR4G | 1200 | の上 | マレーシア |
| ディオード MBR20200CTG | 22000 | の上 | マレーシア |
| フューシベル 30R300UU | 10000 | リトルフューセイ | 台湾 |
| CI TPIC6595N | 10000 | TI | タイ |
| EPM7064STC44-10N | 100 | アルテラ | マレーシア |
| ディオード 1N4004-T | 5000000 | 総務省 | 中国 |
| CI CD4060BM | 500 | TI | タイ |
| アコプラドール MOC3020M | 500 | FSC | マレーシア |
| ディオド W08 | 500 | 9月 | 中国 |
| CI SN74HC373N | 1000 | TI | フィリピン |
| フォトセンサー 2SS52M | 500 | ハネウェル | 日本 |
| CI SN74HC02N | 1000 | TI | タイ |
| CI CD4585BE | 250 | TI | タイ |
| CI MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | ミクロン | マレーシア |
| ディオード MMSZ5242BT1G | 30000 | の上 | マレーシア |