これらはMegaFETプロセスを使用して製造されたN-Channel力のMOSFETsである。LSI回路のそれらに近づく形状を使用するこのプロセスは顕著な性能に終ってケイ素の最適利用を、与える。彼らは切換え調整装置、転換のコンバーター、モーター運転者およびリレー運転者のような適用の使用のために設計されていた。これらのトランジスターは集積回路から直接作動させることができる。

以前進化のタイプTA49007。

特徴

•70A、60V

•rDS （） = 0.014Ω

•温度によって償われるPSPICE®モデル

•ピーク電流対脈拍幅のカーブ

•UISの評価のカーブ（単一の脈拍）

•175oC実用温度

•関連の文献

- TB334 「パソコンボードへのはんだ付けする表面の台紙の部品のための指針」

絶対最高評価TC = 25℃、他に特に規定がなければ

変数	記号	RFG70N06、RFP70N06 RF1S70N06SM	単位
源の電圧（ノート1）に流出させなさい	VDSS	60	V
電圧をゲートで制御するために流出させなさい（RGS = 20kΩ）（ノート1）	VDGR	60	V
連続的な下水管の流れ	ID	70
脈打った下水管の流れ（ノート3）	IDM	ピーク電流のカーブを参照しなさい
源の電圧へのゲート	VGS	±20	V
単一の脈拍のなだれの評価	EAS	UISのカーブを参照しなさい
電力損失	PD	150	W
線形軽減の要因		1.0	With℃
作動し、保管温度	TJ、TSTG	-55から175	℃
はんだ付けすることのための最高温度 10sのための言い分からの0.063in （1.6mm）の鉛 10sのためのパッケージボディは、Techbrief 334を見る	TL Tpkg	300 260	℃ ℃

注意:「絶対最高評価に」リストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは圧力の唯一の評価であり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらの上の他のどの条件のも操作は意味されない。

注:1. TJ = 25oCへの150℃

記号

包装

標準的な提供（熱い販売法）

部品番号。

Q'ty

MFG

D/C

パッケージ

LA4440	3620	鳥取三洋電機	14+	SIP-14
LT1512CS8#PBF	5755	線形	15+	SOP-8
LM75CIMMX-3	6880	NSC	14+	MSOP-8
LTC2954CTS8-2#TRMPBF	6896	LT	10+	SOT
NTE4151PT1G	38000		16+	SOT-523
CXD2480R	1277	ソニー	15+	QFP
A8498SLJTR-T	3500	アレグロ	12+	SOP-8
A4950ELJTR-T	1000	アレグロ	13+	SOP-8
LMX2335LTMX	2297	NSC	14+	TSSOP-16
NCP1034DR2G	9200		16+	SOP
A3932SLDTR-T	2042年	アレグロ	15+	TSSOP38
MM3Z4V7ST1G	25000		16+	SOD-323
MCP1825S-3302E/DB	5134	マイクロチップ	16+	SOT-223
MMBZ5257BLT1G	20000		16+	SOT-23
MBR120ESFT1G	38000		16+	芝地
L4931ABD33	3851	ST	14+	SOP8
NTE4153NT1G	30000		16+	SOT-523
MPX5100DP	6099	FREESCALE	15+	SIP
LMH1980MM/NOPB	1632	チタニウム	15+	VSSOP-10
PIC18F26K20-I/SS	4498	マイクロチップ	13+	SSOP
LTC3450EUD	6714	線形	15+	DFN

商品のタグ：

RFP70N06高い発電mosfetのトランジスター力MosfetのトランジスターN-Channel力のMOSFETs

フラッシュ・メモリICの破片

プログラム可能なICの破片

コンピュータICは欠ける

LEDの運転者IC

力管理IC

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表示運転者IC

IGBT力モジュール

アンプICは欠ける

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