S6025Lのトライアックの敏感なゲート力MosfetのトランジスターSCRs感知不能なゲート1-70のAMPSの

SCRs （70 A）への1 A

概説

サイリスタSCRの半導体のTeccorラインはTeccorの敏感なSCRsのラインを補足する半波、単方向の、ゲート制御の整流器である。Teccorは1 Aの評価の装置をから70 Aおよび200ボルトから10 mAからの50 mAにゲートの感受性の1000ボルト、提供する。12 µAのゲートの流れから500のµAの範囲が要求されたら、このカタログの「敏感なSCRs」セクションを見なさい。

3個のパッケージは低価格アセンブリおよび便利な包装の技術の使用を可能にするために箱かタブが内部的に隔離される電気で隔離された構造で提供される。

SCRsのTeccorラインは長期信頼性および変数安定性を保障するためにガラス不動態化された接続点を特色にする。Teccorのガラスは接続点の汚染に対して険しい、信頼できる障壁を提供する。

このデータ用紙でカバーされる装置の変化は利用できるのためにカスタム設計する適用を。より多くの情報のための工場に相談しなさい。

特徴

•迎合的なRoHS

•電気隔離されたパッケージ

•高圧機能—200ボルトから1000ボルト

•高いサージ機能—950までA

•ガラス不動態化された破片

Compak SCR

•表面の台紙のパッケージ—シリーズ1

•新しく小さいプロフィールの3加鉛Compakのパッケージ

•巻き枠ごとの2,500の装置が付いている浮彫りにされたキャリア テープで包まれる

•SOT-223を取り替えることができる

特定のテスト条件

di/dt —オン州の流れの最高の率の上昇;IGT = ≤ 0.1のµsの上昇時間の150 mA

dv/dt —応用前方電圧の重大な率

I ^2つのt —溶解の8.3氏の期間の間現在のRMSのサージの（非反復）オン州

IDRMおよびIRRM —ピーク オフ状態のforwardおよび現在をVDRMおよびVRRMで逆転させるため

Igt —dcのゲートの制動機の流れ;VD = 12ボルトdc;RL = 1つから16のA装置のための60 Ωおよび20から70のA装置のための30 Ω

IGM —ピーク ゲートの流れ

IH —dcの保有物流れ;開いたゲート

IT —最高のオン州の流れ

ITSM —ピーク1周期前方サージ電流

ページ_（AV） —平均ゲートの電力損失

PGM —ピーク ゲートの電力損失

tgt —ゲート制御のturn-on時間;ゲート脈拍= 100 mA;最低の幅=上昇時間の≤ 0.1のµsが付いている15のµs

tq —回路はturn-off時間を整流した

VDRMおよびVRRM —オフ状態反復的なピーク先におよび電圧を逆転させるため

Vgt —DCのゲートの制動機電圧;VD = 12ボルトdc;RL = 1つから16のA装置のための60 Ωおよび20から70のA装置のための30 Ω

VTM —ピーク オン州の電圧は最高でRMSの流れを評価した

概要のノート

•すべての測定は+25 °Cの周囲温度の抵抗負荷との60のHzで他に特に規定がなければなされる。

•実用温度範囲（TJ）は-65 °CへTO-92装置のための+125 °Cおよび-40 °Cへ他のすべてのパッケージのための+125 °Cである。

•保管温度の範囲（TS）は-65 °CへTO-92装置のための+150 °C、-40 °CへTO-202およびTO-220装置のための+150 °C、および-40 °Cへ他のための+125 °Cである。

•鉛のはんだの温度は10秒の230 °Cの最高最高である;場合からの≥1/16」（1.59 mm）。

•場合温度（TC）は「パッケージで次元の外形図で示されているように寸法を測る」sectionofのこのカタログ測定される。

標準的な提供（熱い販売法）