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DDR3 SDRAMは高速のCMOSのダイナミックRAMである。それは8銀行ドラムとして内部的に形成される。
特徴
•VDD = VDDQ = +1.5V ±0.075V
•1.5Vは押し/引き入力/出力を中心終えた
•差動二方向データ ストロボ
•8nビット先取りの建築
•差動クロックの入力（CK、CK#）
•8つの内部銀行
•データ、ストロボおよびマスク信号のためのわずかな、動的オン ダイスの終了（ODT）
•CASの（読まれる）潜伏（CL）:5、6、7、8、9、10、か11
•掲示されたCASの付加的な潜伏（AL）:0のCL - 1のCL - 2
•CASの（書きなさい）潜伏（CWL）:5、6、7、t CKに基づいて8、
•4の8そして破烈のチョップの固定破烈させた長さ（BL） （紀元前に） （によってモード・レジスタ セット[夫人]）
•大急ぎで選択可能なBC4かBL8 （OTF）
•自己によってはモードが新たになる
物品目録
| LM4890MM | 30000 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| MHW6342T | 6304 | MOT | 15+ | CATV |
| CM450HA-5F | 233 | MITSUBI | 14+ | モジュール |
| PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
| PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
| MSM5219BGS-K-7 | 550 | OKI | 14+ | QFP |
| PS11003-C | 500 | MITSUBISH | 12+ | モジュール |
| MB87020PF-G-BND | 3531 | 冨士通 | 14+ | QFP |
| MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | ジッパー |
| 7MBP150RTB060 | 210 | 富士 | 12+ | モジュール |
| MBM200HS6B | 629 | 日立 | 14+ | モジュール |
| PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | モジュール |
| PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | モジュール |
| LA1185 | 3928 | 鳥取三洋電機 | 14+ | SIP9 |
| BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | モジュール |
| LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
| NCN1188MUTAG | 8480 | 16+ | UQFN | |
| NCN1154MUTAG | 8400 | 16+ | UQFN | |
| LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
| L78L05ABD | 10000 | ST | 15+ | SOP8 |
| AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
| PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | モジュール |
| BNX003-01 | 2058年 | 村田 | 14+ | すくい |
| LTC4441IMSE | 6207 | 線形 | 14+ | MSOP |
| PA0173NLT | 7386 | 脈拍 | 16+ | SOP |